Пошук
КП301Г планарні польові транзистори з ізольованим затвором та індукованим каналом р-типу
КП302А1 кремнієві планарні з каналом n-типу, з дифузійним затвором, підсилювальні
КП302АМ транзистор польовий з затвором на основі p-n переходу і каналом n-типу
КП303Е транзистор польовий N-FET (200 mW 30В) Au (ТО72)
КП103К (Au) транзистор польовий з затвором на основі p-n переходу і каналом p-типу ТО-18
КП301Б планарні польові транзистори з ізольованим затвором та індукованим каналом р-типу
МП21А ОС Транзистори германієві сплавні p-n-p перемикаючі низькочастотні малопотужні Ni
КП103И1 Транзистор польовий з затвором на основі p-n переходу і каналом p-типу (TO-92)
МП37А германієві сплавні n-p-n підсилювальні низькочастотні з ненормованим коефіцієнтом шуму .. Ni
КП303Ж транзистор польовий N-FET (200 mW 25В) Ni (ТО72)
КП303Г транзистор польовий N-FET (200 mW 25В) Ni (ТО72)
КП307Б транзистор польовий з затвором на основі p-n переходу і каналом n-типу. (250 mW 27В) Ni (ТО72)
+38 (067) 979 41 03Viber WhatsApp Telegram
sohan.fop@gmail.com
Ми в соціальних мережах:
Час роботи:
ПН-СБ 10:00-20:00, НД 10:00-18:00
Наша адреса
Україна, Київ, вул. Ушинського, 4. Ринок "Радіолюбитель". Торгові місця: 594-598.
ФОП Сохань © -
Платіть за допомогою карти
Працює на Shop-Express™
#{text}