П307В транзисторы кремниевые планарные n-p-n переключательные низкочастотные маломощные. Au

П307 транзисторы кремниевые планарные n-p-n переключательные низкочастотные маломощные. Ni

П307В

Транзисторы П307В кремниевые планарные n-p-n переключательные низкочастотные маломощные.

Предназначены для применения в схемах переключения и преобразователей постоянного напряжения.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Обозначение типа приводися на корпусе.

Масса транзистора не более 2 г.

Тип корпуса: КТЮ-3-6.

Технические условия: ЖК3.365.059 ТУ.

Технические характеристики транзисторов П307, П307А, П307Б, П307В, П307Г:

Тип транзистора
Структура
Предельные значения параметров при Тп=25°С
Значения параметров при Тп=25°С


IК. макс.
IК. и. макс.
UКБО макс.
UКЭR макс.
UЭБО макс.
РК. макс
h21э
UКБ
IЭ
UКЭ нас.
IКБО
fгp.


мА
мА
В
В
В
мВт

В
мА
В
мкА
МГц


П307
n-p-n
30
120
80
80
3
250
16...50
20
10
-
3
20


П307А
n-p-n
30
120
80
80
3
250
30...90
20
10
-
3
20


П307Б
n-p-n
15
120
80
80
3
250
50…150
20
10
-
3
20


П307В
n-p-n
30
120
60
60
3
250
50…150
20
10
-
3
20


П307Г
n-p-n
15
120
80
80
3
250
16…50
20
10
-
3
20

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:

• Iк. макс - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.

• Iк. и. макс - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.

• Uкбо макс - максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера.

• UкэR макс - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном (конечном) сопротивлении в цепи база- эмиттер транзистора.

• Uэбо макс - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.

• Рк. макс - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.

• h21Э - коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.

• Uкб - напряжение коллектор-база транзистора.

• Iэ - ток эмиттера транзистора.

• Uкэ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.

• Iкбо - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.

• fгр- граничная частота коэффициента передачи тока.