П217
Транзистори П217 германієві сплавні структури p-n-p універсальні.
Призначені для застосування в перемикачах, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах постійної напруги.
Використовуються для роботи в радіотехнічних та електронних пристроях загального та спеціального призначення.
Випускаються в металевому корпусі зі скляними ізоляторами та жорсткими виведеннями.
Маркуються цифро-букванним кодом на корпусі транзистора.
Маса транзизора не більш ніж 12,5 г, кріпильного фланця не більш ніж 4,5 г.
Кліматичне виготовлення: «УХЛ».
Категорія якості: «ОТК», «ВП», «ОС».
Технічні умови:
- приймання «1» АА0.336.342ТУ;
- приймання «5» СИ3.365.017ТУ;
— приймання «9» СИ3.365.017ТУ/Д6, аА0.339.190ТУ.
Зарубежный аналог: AD130, AD131, AD132, AD163, AD303, AUY19, AUY20, AUY28, EFT214, EFT250, OC28, OC35, SFT214, SFT239.
Основні технічні характеристики транзизора П217:
• Структура транзизора: p-n-p
• Рк т max — Постійна розсіювана потужність колектора з тепловідведенням: 30 Вт;
• fh21е — Гранична частота коефіцієнта передавання струму транзизора для схем із загальним імітером: не менш ніж 0,1 МГц;
• Uкбоб — Пробивна напруга колектор-база за заданого зворотного струму колектора та розімкнутого ланцюга імітера: 60 В;
• Uебо проб — Пробивна напруга емітер-база за заданого зворотного струму емітера та розімкнутого кола колектора: 15 В;
• Iк max — Максимально допустимий постійний струм колектора: 7,5 А;
• Iкбо — зворотний струм колектора — струм через колекторний перехід за заданої зворотної напруги колектор-базу та розімкнутого виведення емітера: не більш ніж 0,5 мА;
• h21е — Статичний коефіцієнт передавання струму транзистори в режимі малого сигналу для схем із загальним імітером: понад 15;
• Rке нас — Опір насичення між колектором і емітером: не більш ніж 0,5 Ом
Технічні характеристики транзисторів П217, П217А, П217Б, П217В, П217Г:
Тип
транзизора
Структура
Граничні значення параметрів за Тп = 25 °C
Значення параметрів за Тп = 25 °C
TП
max
Т
max
IК
max
IК. И.
max
UКЭ0 max
UКБ0 max
UЭБ0 max
РК max
(РК. Т. max)
h21Э
UКЭ
нас.
IКБ
IЭБО
f гp.
КШ
СК
СЭ
А
А
В
В
В
Вт
В
мкА
мкА
МГц
дБ
пФ
пФ
°С
°С
П217
p-n-p
7,5
-
60
60
15
(30)
>15
1
0,5
50
0,1
-
-
-
85
-60…+70
П217А
p-n-p
7,5
-
60
60
15
(30)
20...60
1
0,5
50
0,1
-
-
-
85
-60…+70
П217Б
p-n-p
7,5
-
60
60
15
(30)
>20
1
0,5
50
0,1
-
-
-
85
-60…+70
П217В
p-n-p
7,5
-
60
60
15
(24)
>5
0,5
3
20
0,1
-
-
-
85
-60…+70
П217Г
p-n-p
7,5
-
60
60
15
(24)
15…40
1
3
20
0,1
-
-
-
85
-60…+70
Усоловні позначення електричних параметрів транзисторів:
• IК max — максимально допустимий постійний струм колектора транзизора.
• IК. И. max — максимально допустимий імпульсний струм колектора транзистора.
• UКЭR max — максимальна напруга між колектором і емітером за заданого струму колектора та опору в ланцюгу база-емітер.
• UКЭ0 max — максимальна напруга між колектором і емітером транзизора за заданого струму колектора та струму бази, рівним нулю.
• UКБ0 max — максимальна напруга колектор-база за заданого струму колектора та струму еміттера, що дорівнює нулю.
• UЭБ0 max — максимально допустима постійна напруга емітер-база під час струму колектора, рівною нулю.
• РК max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори.
• РК. Т. max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори з тепловідведенням.
• h21Э — статичний коефіцієнт передавання струму біполярного транзистора.
• UКЭ нас. — напруга насичення між колектором і емітером транзизора.
• IКБО- зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід у разі заданої зворотної напруги колектор-база та розімкнутого виведення імітера.
• IЭБО- зворотний струм еміттера. Струм через евіттерний перехід у разі заданої зворотної напруги емітер-база та розімкнутого виведення колектора.
• f гр — гранічна частота коефіцієнта передавання струму.
• КШ - коефіцієнт шуму транзизора.
• СК - ємність колекторного переходу.
• СЭ - ємність колекторного переходу.
• ТП max - максимально допустима температура переходу.
• Т max — максимально допустима температура довкілля.