МП25 транзисторы p-n-p германиевые сплавные универсальные низкочастотные.. Ni

МП25

Транзисторы МП25 германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные.

Предназначены для усиления и переключения сигналов низкой частоты.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.

Масса транзистора не более 2 г.

Тип корпуса: КТЮ-3-6.

Технические условия: аА0.336.623 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора МП25:

• Структура транзистора: p-n-p

• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 200 мВт;

• fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 0,2 МГц;

• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 40 В;

• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 40 В;

• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 400 мА;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 75 мкА;

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 10...25;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 20 пФ;

• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2,2 Ом;

• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 1500 пс

Технические характеристики транзисторов МП25, МП25А, МП25Б:

Тип транзистора
Структура
Предельные значения параметров при Тп=25°С
Значения параметров при Тп=25°С


IК. макс.
IК. и. макс.
UКЭR макс.
UЭБО макс.
РК. макс.
h21Э
UКБ
IЭ
UКЭ нас.
IКБО
fгp.


мА
мА
В
В
мВт

В
мА
В
мкА
МГц


МП25
p-n-p
150
400
40
40
200
10...25
20
2,5
-
75
0,25


МП25А
p-n-p
150
400
40
40
200
20...50
20
2,5
-
75
0,25


МП25Б
p-n-p
150
400
40
40
200
30...80
20
2,5
-
75
0,5

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:

• Iк. макс - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.

• Iк. и. макс - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.

• UкэR. макс - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном (конечном) сопротивлении в цепи база- эмиттер транзистора.

• Uкэо. макс - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера.

• Uэбо. макс - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.

• Рк. макс - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.

• Рк. и. макс - максимально допустимая импульсная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.

• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.

• h21Э - коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.

• Uкб - напряжение коллектор-база транзистора.

• UкэR. макс - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном (конечном) сопротивлении в цепи база- эмиттер транзистора.

• Iэ - ток эмиттера транзистора.

• Iк - постоянный ток коллектора транзистора.

• Uкэ. нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.

• Iкбо - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.

• fгр- граничная частота коэффициента передачи тока.

• fh21 - предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора.