МП21А ОС Транзистори германієві сплавні p-n-p перемикаючі низькочастотні малопотужні Ni

Артикул МП21А ОС
12,75 ₴
Характеристики
Артикул МП21А ОС
Материал корпуса Металлостекло
Тип монтажа Ручной монтаж
Тип транзистора Биполярный
Тип биполярного транзистора P-N-P
Исполнение Дискретное
Страна происхождения СССР

МП21А

Транзисторы МП21А германиевые сплавные p-n-p переключательные низкочастотные маломощные.

Предназначены для применения в схемах переключения в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.

Тип корпуса: КТЮ-3-6.

Масса транзистора не более 2,0 г.

Климатическое исполнение: «УХЛ».

Категория качества: «ОТК», «ВП», «ОС».

Технические условия:

- приемка «ВП» аА0.336.484ТУ;

- приемка «ПЗ» ЩМ3.365.039ТУ.

Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления.

Технические характеристики транзисторов МП21, МП21А, МП21Б, МП21В, МП21Г, МП21Г, МП21Д, МП21Е:




Тип транзистора
Структура
Предельные значения параметров при Тп=25°С
Значения параметров при Тп=25°С


IК. макс.
IК. и. макс.
UКЭR макс.
UЭБО макс.
РК. макс.
h21Э
UКБ

UКЭ нас.
IКБО
fгp.


мА
мА
В
В
мВт

В
мА
В
мкА
МГц


МП21
p-n-p
100
300
35
50
150
20...60
5
25
0,3
50
1


МП21А
p-n-p
100
300
35
50
150
50...150
5
25
0,3
50
1


МП21Б
p-n-p
100
300
40
50
150
20...80
5
25
0,3
50
0,5


МП21В
p-n-p
100
300
40
50
150
20…100
5
25
0,3
50
1,5


МП21Г
p-n-p
100
300
60
50
150
20...80
5
25
0,3
50
1


МП21Д
p-n-p
100
300
60
50
150
60…200
5
25
0,3
50
0,7


МП21Е
p-n-p
100
300
70
50
150
30…150
5
25
0,3
50
0,7


Условные обозначения электрических параметров транзисторов:

• Iк. макс - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.

• Iк. и. макс - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.

• UкэR. макс - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном (конечном) сопротивлении в цепи база- эмиттер транзистора.

• Uкэо. макс - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера.

• Uэбо. макс - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.

• Рк. макс - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.

• Рк. и. макс - максимально допустимая импульсная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.

• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.

• h21Э - коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.

• Uкб - напряжение коллектор-база транзистора.

• UкэR. макс - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном (конечном) сопротивлении в цепи база- эмиттер транзистора.

• Iэ - ток эмиттера транзистора.

• Iк - постоянный ток коллектора транзистора.

• Uкэ. нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.

• Iкбо - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.

• fгр- граничная частота коэффициента передачи тока.

• fh21 - предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора.

+38 (067) 979 41 03Viber WhatsApp Telegram

Ми в соціальних мережах:

Час роботи:

ПН-СБ 10:00-20:00, НД 10:00-18:00

Наша адреса

Україна, Київ, вул. Ушинського, 4. Ринок "Радіолюбитель". Торгові місця: 594-598.

ФОП Сохань © -

Платіть за допомогою карти

Працює на Shop-Express

Обране