КТ840Б транзистор кремнієвий NPN (6А 350В) 60W

КТ840Б транзистор NPN (6А 350В) 60W

Корпус:

КТ840Б

Транзисторы КТ840Б кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные.

Предназначены для применения в переключающих и импульсных устройствах.

Выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами.

Тип прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 20 г.

Тип корпуса: КТ-9 (ТО-3).

Технические условия: аА0.336.442 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора КТ840Б:

• Структура транзистора: n-p-n;

• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 60 Вт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 8 МГц;

• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 750 В;

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 6 А;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 3 мА (750В);

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 10;

• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,75 Ом

Технические характеристики транзисторов КТ840А, КТ840Б, КТ840В:

Тип

транзистора
Структура
Предельные значения параметров при Тп=25°С
Значения параметров при Тп=25°С
TП

max
Т

max


IК

max
IК. И.

max
UКЭR max

(UКЭ0 max)
UКБ0 max
UЭБ0 max
РК max

(РК. Т. max)
h21Э
UКЭ

нас.
IКБО
IЭБО
IКЭR
f гp.
СК
СЭ


А
А
В
В
В
Вт

В
мА
мА
мА
МГц
пФ
пФ
°С
°С


КТ840А
n-p-n
6
8
400
900
5
60
10…60
<0,6
<3
-
-
>8
-
-
150
-45…+100


КТ840Б
n-p-n
6
8
350
750
5
60
>10
<0,6
<3
-
-
>8
-
-
150
-45…+100


КТ840В
n-p-n
6
8
375
800
5
60
10…100
<0,6
<3
-
-
>8
-
-
150
-45…+100

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:

• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.

• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.

• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.

• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.

• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.

• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.

• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.

• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.

• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.

• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.

• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.

• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.

• IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер.

• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.

• СК - емкость коллекторного перехода.

• СЭ - емкость коллекторного перехода.

• ТП max - максимально допустимая температура перехода.

• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.