КТ834А транзистор NPN (20А 500В) 100W
ВИСОКОВОЛЬНІ n-p-n СКЛАДНІ БІПОЛЯРНІ ПОТУЖНІ ТРАНСТОРИ КТ834А
КТ834А
Транзистори КТ834А кремнієві мезапланарні структури n-p-n складові посилені.
Призначені для застосування в регуляторах струму та напруги, у перемикачах.
Використовуються для роботи в електронній апаратурі загального призначення.
Випускаються в металевому корпусі зі скляними ізоляторами та жорсткими виведеннями.
Маркування нанесене цифро-букваним кодом на корпусі транзизора.
Тип корпусу: КТ-9 (TO-3).
Маса транзизора не більш ніж 20,0 г.
Кліматичне виготовлення: «УХЛ3.1» за ГОСТом 15150-69.
Категорія якості: «ОТК».
Технічні умови:
— приймання «1» — АА0.336.471ТУ.
Імпортний аналог: SDN6002, SDN6253, 2SD605, 2SD685, SVT6002, SDM6000.
Основні технічні характеристики транзизора КТ834:
• Структура транзизора: n-p-n;
• Рк т max — Постійна розсіювана потужність колектора з тепловідведенням: 100 Вт;
• fГ — Гранична частота коефіцієнта передавання струму транзизора для схеми із загальним імітером: не менш ніж 4 МГц;
• UKer max — Максимальна напруга колектор-емітер за заданого струму колектора та заданого опору в ланцюзі база-емітер: 500 В (0,1 кОм);
• Uебо max — Максимальна напруга емітер-база за заданого зворотного струму еміттера та розімкнутого кола колектора: 8 В;
• Iк max — Максимально допустимий постійний струм колектора: 15 А;
• Iк і max — Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 20 А;
• Iкер — зворотний струм колектор-емітер за заданих зворотної напруги колектор-емітер і опору в ланцюгу база-емітер: 3 мА (500 В);
• h21е — Статичний коефіцієнт передавання струму транзизора для схем із загальним імітером: 150... 3000;
• Ск - Ємність колекторного переходу: не більш ніж 100 ПФ;
• Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більш ніж 0,13 Ом
Технічні характеристики транзисторів КТ834А, КТ834Б, КТ834В:
Тип
транзизора
Структура
Граничні значення параметрів за Тп = 25 °C
Значення параметрів за Тп = 25 °C
TП
max
Т
max
IК
max
IК. И.
max
UКЭR max
(UКЭ0 max)
UКБ0 max
UЭБ0 max
РК max
(РК. Т. max)
h21Э
UКЭ
нас.
IКБО
IЭБО
IКЭR
f гp.
СК
СЭ
А
А
В
В
В
Вт
В
мА
мА
мА
МГц
пФ
пФ
°С
°С
КТ834А
n-p-n
15
20
500
-
8
100
>150
<2
-
<50
<3
>4
<100
-
150
-40…+85
КТ834Б
n-p-n
15
20
450
-
8
100
>150
<2
-
<50
<3
>4
<100
-
150
-40…+85
КТ834В
n-p-n
15
20
400
-
8
100
>150
<2
-
<50
<3
>4
<100
-
150
-40…+85
Усоловні позначення електричних параметрів транзисторів:
• IК max — максимально допустимий постійний струм колектора транзизора.
• IК. И. max — максимально допустимий імпульсний струм колектора транзистора.
• UКЭR max — максимальна напруга між колектором і емітером за заданого струму колектора та опору в ланцюгу база-емітер.
• UКЭ0 max — максимальна напруга між колектором і емітером транзизора за заданого струму колектора та струму бази, рівним нулю.
• UКБ0 max — максимальна напруга колектор-база за заданого струму колектора та струму еміттера, що дорівнює нулю.
• UЭБ0 max — максимально допустима постійна напруга емітер-база під час струму колектора, рівною нулю.
• РК max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори.
• РК. Т. max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори з тепловідведенням.
• h21Э — статичний коефіцієнт передавання струму біполярного транзистора.
• UКЭ нас. — напруга насичення між колектором і емітером транзизора.
• IКБО- зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід у разі заданої зворотної напруги колектор-база та розімкнутого виведення імітера.
• IЭБО- зворотний струм еміттера. Струм через евіттерний перехід у разі заданої зворотної напруги емітер-база та розімкнутого виведення колектора.
• IКЭR — зворотний струм колектор-емітер за заданої зворотної напруги колектор-емітер і опору в ланцюгу база-емітер.
• f гр — гранічна частота коефіцієнта передавання струму.
• СК - ємність колекторного переходу.
• СЭ - ємність колекторного переходу.
• ТП max - максимально допустима температура переходу.
• Т max — максимально допустима температура довкілля.