КТ816Г (BD238) транзистор PNP (3А 90В) 25W (ТО126)

КТ816Г транзистор PNP (3А 90В) 25W (ТО126)

Наимен.
тип
Uкбо(и),В
Uкэо(и), В
Iкmax(и), мА
Pкmax(т), Вт
h21э
Iкбо, мкА
fгр., МГц
Uкэн, В


КТ816А

p-n-p

40
40
3000 (6000)
1(25)
25-275
100
3
<1


КТ816А2
40
40
3000 (6000)
1(25)
200
100
3
<0.6


КТ816Б
45
45
3000 (6000)
1(25)
25-275
100
3
<1


КТ816В
60
60
3000 (6000)
1(25)
25-275
100
3
<1


КТ816Г
100
90
3000 (6000)
1(25)
25-275
100
3
<1

Корпус:

Uкбо
- Максимально допустимое напряжение коллектор-база


Uкбои
- Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база


Uкэо
- Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер


Uкэои
- Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер


Iкmax
- Максимально допустимый постоянный ток коллектора


Iкmax и
- Максимально допустимый импульсный ток коллектора


Pкmax
- Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода


Pкmax т
- Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом


h21э
- Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером


Iкбо
- Обратный ток коллектора


fгр
- граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером


Uкэн
- напряжение насыщения коллектор-эмиттер