КТ683А транзистор NPN (2,0А 150В) 8W (ТО126)

Артикул КТ683А
12,75 ₴
Характеристики
Артикул КТ683А
Материал корпуса Пластик
Техническое описание скачать PDF в спецификации
Тип монтажа Ручной монтаж
Тип транзистора Биполярный
Тип биполярного транзистора N-P-N
Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер 120 В
Максимально допустимый ток коллектора 2 А
Исполнение Дискретное
Максимальная мощность рассеивания 8 Вт

КТ683А транзистор NPN (2,0А 150В) 8W (ТО126)

Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n универсальные.

Транзисторы КТ683А, КТ683Б, КТ683В, КТ683Г, КТ683Д, КТ683Е предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.

Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.

Тип прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 1 г.

Тип корпуса: КТ-27-2 (ТО-126).

Технические условия: аА0.336.802 ТУ.

Корпус:





Характеристики транзисторов КТ683А, КТ683Б, КТ683В, КТ683Г, КТ683Д, КТ683Е:




Тип

транзистора
Структура
Предельные значения параметров при Тп=25°С
Значения параметров при Тп=25°С

max
Т

max


max
IК. И.

max
UКЭR max

(UКЭ0 max)
UКБ0 max
UЭБ0 max
РК max

(РК. Т. max)
h21Э
UКЭ

нас.
IКБО
IЭБО
IКЭR
f гp.
СК
СЭ


А
А
В
В
В
Вт

В
мкА
мкА
мкА
МГц
пФ
пФ
°С
°С


КТ683А
n-p-n
1
2
150
150
7
1,2 (8)
40…120
<0,45
<1
-
-
>50
<15
<65
150
-60…+125


КТ683Б
n-p-n
1
2
120
120
7
1,2 (8)
80…240
<0,45
<1
-
-
>50
<15
<65
150
-60…+125


КТ683В
n-p-n
1
2
120
120
7
1,2 (8)
40…120
<0,45
<1
-
-
>50
<15
<65
150
-60…+125


КТ683Г
n-p-n
1
2
100
100
5
1,2 (8)
40…120
<0,45
<1
-
-
>50
<15
<65
150
-60…+125


КТ683Д
n-p-n
1
2
60
60
5
1,2 (8)
80…240
<0,45
<1
-
-
>50
<15
<65
150
-60…+125


КТ683Е
n-p-n
1
2
60
60
5
1,2 (8)
160…480
<0,45
<1
-
-
>50
<15
<65
150
-60…+125



Условные обозначения электрических параметров транзисторов:

• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.

• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.

• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.

• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.

• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.

• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.

• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.

• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.

• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.

• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.

• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.

• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.

• IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер.

• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.

• СК - емкость коллекторного перехода.

• СЭ - емкость коллекторного перехода.

• ТП max - максимально допустимая температура перехода.

• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.

+38 (067) 979 41 03Viber WhatsApp Telegram

Ми в соціальних мережах:

Час роботи:

ПН-СБ 10:00-20:00, НД 10:00-18:00

Наша адреса

Україна, Київ, вул. Ушинського, 4. Ринок "Радіолюбитель". Торгові місця: 594-598.

ФОП Сохань © -

Платіть за допомогою карти

Працює на Shop-Express

Обране