КТ683А транзистор NPN (2,0А 150В) 8W (ТО126)
Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n универсальные.
Транзисторы КТ683А, КТ683Б, КТ683В, КТ683Г, КТ683Д, КТ683Е предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Тип корпуса: КТ-27-2 (ТО-126).
Технические условия: аА0.336.802 ТУ.
Корпус:
Характеристики транзисторов КТ683А, КТ683Б, КТ683В, КТ683Г, КТ683Д, КТ683Е:
Тип
транзистора
Структура
Предельные значения параметров при Тп=25°С
Значения параметров при Тп=25°С
TП
max
Т
max
IК
max
IК. И.
max
UКЭR max
(UКЭ0 max)
UКБ0 max
UЭБ0 max
РК max
(РК. Т. max)
h21Э
UКЭ
нас.
IКБО
IЭБО
IКЭR
f гp.
СК
СЭ
А
А
В
В
В
Вт
В
мкА
мкА
мкА
МГц
пФ
пФ
°С
°С
КТ683А
n-p-n
1
2
150
150
7
1,2 (8)
40…120
<0,45
<1
-
-
>50
<15
<65
150
-60…+125
КТ683Б
n-p-n
1
2
120
120
7
1,2 (8)
80…240
<0,45
<1
-
-
>50
<15
<65
150
-60…+125
КТ683В
n-p-n
1
2
120
120
7
1,2 (8)
40…120
<0,45
<1
-
-
>50
<15
<65
150
-60…+125
КТ683Г
n-p-n
1
2
100
100
5
1,2 (8)
40…120
<0,45
<1
-
-
>50
<15
<65
150
-60…+125
КТ683Д
n-p-n
1
2
60
60
5
1,2 (8)
80…240
<0,45
<1
-
-
>50
<15
<65
150
-60…+125
КТ683Е
n-p-n
1
2
60
60
5
1,2 (8)
160…480
<0,45
<1
-
-
>50
<15
<65
150
-60…+125
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.