КТ503А транзистор NPN (350 мА 40В) (h21е: 40-120) 0,35 W (ТО92)

КТ503А транзистор NPN (350 мА 40В) (h21е: 40-120) 0,35 W (ТО92)

Наимен.
тип
Uкбо(и),В
Uкео(і), В
Iдоmax(и), мА
Pдоmax(т), Вт
h21е
Iкбо, мкА
fгр., МГц
Кш, ДБ


КТ503А

n-p-n

40
25
150(350)
0.35
40-120
1
350
-


КТ503Б
40
25
150(350)
0.35
80-240
1
350
-


КТ503В
60
40
150(350)
0.35
40-120
1
350
-


КТ503Г
60
40
150(350)
0.35
80-240
1
350
-


КТ503Д
80
60
150(350)
0.35
40-120
1
350
-


КТ503Е
100
80
150(350)
0.35
40-120
1
350
-

Корпус:

КТ503А

Транзистори КТ503А кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.

Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних і диференціальних підсилювачах, перетворювачах, імпульсних пристроях.

Випускаються в пластмасовому корпусі з гнучкими виведеннями.

Тип приладу вказується в етикетці.

Маса транзизора не більш ніж 0,3 г.

Тип корпусу: КТ-26.

Технічні умови: АА0.336.183 ТУ/02.

Технічні характеристики транзисторів КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ503Д, КТ503Е:

Тип

транзизора
Структура
Граничні значення параметрів за Тп = 25 °C
Значення параметрів за Тп = 25 °C
TП

max
Т

max


IК

max
IК. И.

max
UКЭ0 max
UКБ0 max
UЭБ0 max
РК max

(РК. Т. max)
h21Э
UКЭ

нас.
IКБО
IЭБО
f гp.
КШ
СК
СЭ


А
А
В
В
В
Вт

В
мкА
мкА
МГц
дБ
пФ
пФ
°С
°С


КТ503А
n-p-n
0,15
0,35
25
40
5
0,35
40...120
0,6
1
-
5
-
50
-
125
-40…+85


КТ503Б
n-p-n
0,15
0,35
25
40
5
0,35
80...240
0,6
1
-
5
-
50
-
125
-40…+85


КТ503В
n-p-n
0,15
0,35
40
60
5
0,35
40...120
0,6
1
-
5
-
50
-
125
-40…+85


КТ503Г
n-p-n
0,15
0,35
40
60
5
0,35
80...240
0,6
1
-
5
-
50
-
125
-40…+85


КТ503Д
n-p-n
0,15
0,35
60
80
5
0,35
40...120
0,6
1
-
5
-
50
-
125
-40…+85


КТ503Е
n-p-n
0,15
0,35
80
100
5
0,35
40...120
0,6
1
-
5
-
50
-
125
-40…+85

Усоловні позначення електричних параметрів транзисторів:

• IК max — максимально допустимий постійний струм колектора транзизора.

• IК. И. max — максимально допустимий імпульсний струм колектора транзистора.

• UКЭR max — максимальна напруга між колектором і емітером за заданого струму колектора та опору в ланцюгу база-емітер.

• UКЭ0 max — максимальна напруга між колектором і емітером транзизора за заданого струму колектора та струму бази, рівним нулю.

• UКБ0 max — максимальна напруга колектор-база за заданого струму колектора та струму еміттера, що дорівнює нулю.

• UЭБ0 max — максимально допустима постійна напруга емітер-база під час струму колектора, рівною нулю.

• РК max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори.

• РК. Т. max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори з тепловідведенням.

• h21Э — статичний коефіцієнт передавання струму біполярного транзистора.

• UКЭ нас. — напруга насичення між колектором і емітером транзизора.

• IКБО- зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід у разі заданої зворотної напруги колектор-база та розімкнутого виведення імітера.

• IЭБО- зворотний струм еміттера. Струм через евіттерний перехід у разі заданої зворотної напруги емітер-база та розімкнутого виведення колектора.

• f гр — гранічна частота коефіцієнта передавання струму.

• КШ - коефіцієнт шуму транзизора.

• СК - ємність колекторного переходу.

• СЭ - ємність колекторного переходу.

• ТП max - максимально допустима температура переходу.

• Т max — максимально допустима температура довкілля.