КТ502Г транзистор PNP (350 мА 60В) (h21е: 80-240) 0,3 W (ТО92)

КТ502Г транзистор PNP (350 мА 60В) (h21е: 80-240) 0,3 W (ТО92)

Наимен.
тип
Uкбо(и),В
Uкео(і), В
Iдоmax(и), мА
Pдоmax(т), Вт
h21е
Iкбо, мкА
fгр., МГц
Кш, ДБ


КТ502А

p-n-p

40
25
150(350)
0.35
40-120
1
350
-


КТ502Б
40
25
150(350)
0.35
80-240
1
350
-


КТ502В
60
40
150(350)
0.35
40-120
1
350
-


КТ502Г
60
40
150(350)
0.35
80-240
1
350
-


КТ502Д
80
60
150(350)
0.35
40-120
1
350
-


КТ502Е
90
80
150(350)
0.35
40-120
1
350
-

Корпус:

Uкбо
- Максимально допустима напруга колектор-база


Uкбои
- Максимально допустима імпульсна напруга колектор-база


Uкео
- Максимально допустима напруга колектор-емітер


Uкеои
- Максимально допустима імпульсна напруга колектор-емітер


Iдоmax
- Максимально допустимий постійний струм колектора


Iдоmax и
- Максимально допустимий імпульсний струм колектора


Pдоmax
- Максимально допустима постійна розсіювана потужність колектора без тепловідведення


Pдоmax т
- Максимально допустима постійна розсіювана потужність колектора з тепловідведенням


h21е
- Статичний коефіцієнт передавання струму біполярного транзизора в схемі із загальним евітером


Iкбо
- Зворотний струм колектора


fгр
— гранічна частота коефіцієнта передавання струму в схемі із загальним емітером


Кш
- коефіцієнт шуму біполярного транзизора