КТ502А транзистор PNP (350 мА 40В) (h21е: 40-120) 0,35 W (ТО92)

КТ502А транзистор PNP (350 мА 40В) (h21е: 40-120) 0,35 W (ТО92)

КТ502А

Транзистори КТ502А кремнієві епітаксиально-планарні структури p-n-p універсальні.

Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних, диференціальних і імпульсних підсилювачах, перетворювачах.

Випускаються в пластмасовому корпусі з гнучкими виведеннями.

Тип приладу вказується на корпусі.

Маса транзизора не більш ніж 0,3 г.

Тип корпусу: КТ-26.

Технічні умови: АА0.336.182 ТУ/02.

Технічні характеристики транзисторів КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е:

Тип

транзизора
Структура
Граничні значення параметрів за Тп = 25 °C
Значення параметрів за Тп = 25 °C
TП

max
Т

max


IК

max
IК. И.

max
UКЭR max
UКБ0 max
UЭБ0 max
РК max
h21Э
UКЭ

нас.
IКБО
IЭБО
IКЭR
f гp.
СК
СЭ


А
А
В
В
В
Вт

В
мкА
мкА
мкА
МГц
пФ
пФ
°С
°С


КТ502А
p-n-p
0,15
0,35
25
40
5
0,35
40...120
<0,6
<1
-
-
>5
<50
-
125
-40…+85


КТ502Б
p-n-p
0,15
0,35
25
40
5
0,35
80...240
<0,6
<1
-
-
>5
<50
-
125
-40…+85


КТ502В
p-n-p
0,15
0,35
40
60
5
0,35
40...120
<0,6
<1
-
-
>5
<50
-
125
-40…+85


КТ502Г
p-n-p
0,15
0,35
40
60
5
0,35
80...240
<0,6
<1
-
-
>5
<50
-
125
-40…+85


КТ502Д
p-n-p
0,15
0,35
60
80
5
0,35
40...120
<0,6
<1
-
-
>5
<50
-
125
-40…+85


КТ502Е
p-n-p
0,15
0,35
80
90
5
0,35
40...120
<0,6
<1
-
-
>5
<50
-
125
-40…+85

Усоловні позначення електричних параметрів транзисторів:

• IК max — максимально допустимий постійний струм колектора транзизора.

• IК. И. max — максимально допустимий імпульсний струм колектора транзистора.

• UКЭR max — максимальна напруга між колектором і емітером за заданого струму колектора та опору в ланцюгу база-емітер.

• UКЭ0 max — максимальна напруга між колектором і емітером транзизора за заданого струму колектора та струму бази, рівним нулю.

• UКБ0 max — максимальна напруга колектор-база за заданого струму колектора та струму еміттера, що дорівнює нулю.

• UЭБ0 max — максимально допустима постійна напруга емітер-база під час струму колектора, рівною нулю.

• РК max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори.

• РК. Т. max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори з тепловідведенням.

• h21Э — статичний коефіцієнт передавання струму біполярного транзистора.

• UКЭ нас. — напруга насичення між колектором і емітером транзизора.

• IКБО- зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід у разі заданої зворотної напруги колектор-база та розімкнутого виведення імітера.

• IЭБО- зворотний струм еміттера. Струм через евіттерний перехід у разі заданої зворотної напруги емітер-база та розімкнутого виведення колектора.

• IКЭR — зворотний струм колектор-емітер за заданої зворотної напруги колектор-емітер і опору в ланцюгу база-іміттер.

• f гр — гранічна частота коефіцієнта передавання струму.

• СК - ємність колекторного переходу.

• СЭ - ємність колекторного переходу.

• ТП max - максимально допустима температура переходу.

• Т max — максимально допустима температура довкілля.