КТ501Г транзистор PNP (0,5А 30В) (h21э: 20-60) 0,35W Au (ТО18)

КТ501А транзистор PNP (0,5А 15В) (h21э: 20-60) 0,35W Au (ТО18)

Изображения служат только для ознакомления

См. спецификации продукта

КТ501М

Транзисторы КТ501М кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.

Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Тип прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 0,6 г.

Тип корпуса: КТ-1-7 (ТО-18).

Технические условия: аА0.336.064 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора КТ501М:

• Структура транзистора: p-n-p;

• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 350 мВт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 5 МГц;

• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 60 В (10кОм);

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 10 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 300 мА;

• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 500 мА;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА;

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 20... 60;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 50 пФ;

• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,3 Ом

Характеристики транзисторов КТ501А, КТ501Б, КТ501В, КТ501Г, КТ501Д, КТ501Е, КТ501Ж, КТ501И, КТ501К, КТ501Л, КТ501М:

Тип

транзистора
Структура
Предельные значения параметров при Тп=25°С
Значения параметров при Тп=25°С
TП

max
Т

max


IК

max
IК. И.

max
UКЭR max
UКБ0 max
UЭБ0 max
РК max
h21Э
UКЭ

нас.
IКБО
IЭБО
IКЭR
f гp.
СК
СЭ


А
А
В
В
В
Вт

В
мкА
мкА
мкА
МГц
пФ
пФ
°С
°С


КТ501А
p-n-p
0,3
0,5
15
15
10
0,35
20…60
<0,4
-
<1
<1
>5
<50
<100
150
-60…+125


КТ501Б
p-n-p
0,3
0,5
15
15
10
0,35
40…120
<0,4
-
<1
<1
>5
<50
<100
150
-60…+125


КТ501В
p-n-p
0,3
0,5
15
15
10
0,35
80…240
<0,4
-
<1
<1
>5
<50
<100
150
-60…+125


КТ501Г
p-n-p
0,3
0,5
30
30
10
0,35
20…60
<0,4
-
<1
<1
>5
<50
<100
150
-60…+125


КТ501Д
p-n-p
0,3
0,5
30
30
10
0,35
40…120
<0,4
-
<1
<1
>5
<50
<100
150
-60…+125


КТ501Е
p-n-p
0,3
0,5
30
30
10
0,35
80…240
<0,4
-
<1
<1
>5
<50
<100
150
-60…+125


КТ501Ж
p-n-p
0,3
0,5
45
45
20
0,35
20…60
<0,4
-
<1
<1
>5
<50
<100
150
-60…+125


КТ501И
p-n-p
0,3
0,5
45
45
20
0,35
40…120
<0,4
-
<1
<1
>5
<50
<100
150
-60…+125


КТ501К
p-n-p
0,3
0,5
45
45
20
0,35
80…240
<0,4
-
<1
<1
>5
<50
<100
150
-60…+125


КТ501Л
p-n-p
0,3
0,5
60
60
20
0,35
20…60
<0,4
-
<1
<1
>5
<50
<100
150
-60…+125


КТ501М
p-n-p
0,3
0,5
60
60
20
0,35
40…120
<0,4
-
<1
<1
>5
<50
<100
150
-60…+125

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:

• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.

• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.

• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.

• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.

• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.

• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.

• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.

• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.

• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.

• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.

• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.

• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.

• IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база- эмиттер.

• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.

• СК - емкость коллекторного перехода.

• СЭ - емкость коллекторного перехода.

• ТП max - максимально допустимая температура перехода.

• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.