КТ371А кремниевый транзистор NPN (3ГГц 10В) (КТ14)
КТ371А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n сверхвысокочастотные усилительные с нормированным коэффициентом шума.
Предназначены для применения в усилителях сверхвысоких частот.
Транзисторы 2Т371А, КТ371А выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами.
Транзисторы КТ371АМ выпускаются в металлопластассовом корпусе с гибкими полосковыми выводами.
На крышке корпуса транзистора наносится условная маркировка цветным кодом:
- 2Т371А - одна синяя точка;
- КТ371А - две синие точки;
- КТ371АМ - две полосы.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-14.
Технические условия: СБ3.365.108 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора КТ371А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 100 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3000 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 10 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 40 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 30...240;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1,2 пФ;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 15 пс
Технические характеристики транзисторов 2Т371А, КТ371А, КТ371АМ:
Тип
транзистора
Структура
Предельные значения параметров при Тп=25°С
Значения параметров при Тп=25°С
TП
max
Т
max
IК
max
IК. И.
max
UКЭR max
(UКЭ0 max)
UКБ0 max
UЭБ0 max
РК max
h21Э
UКЭ
нас.
IКБО
IЭБО
f гp.
КШ
СК
СЭ
мА
мА
В
В
В
мВт
В
мкА
мкА
ГГц
дБ
пФ
пФ
°С
°С
2Т371А
n-p-n
20
40
10
10
3
100
20…240
-
0,5
-
>3
4
1,2
1,5
150
-60…+125
КТ371А
n-p-n
20
40
10
10
3
100
20…240
-
0,5
-
>3
4
1,2
1,5
150
-60…+125
КТ371АМ
n-p-n
20
40
10
10
3
100
20…240
-
0,5
-
>3
5
1,2
1,5
150
-45…+85
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• КШ - коэффициент шума транзистора.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.