КТ350А транзистор PNP (600мА 15В) (h21э: 20-200) 0,3W (ТО92)

КТ350А транзистор PNP (600мА 15В) (h21э: 20-200) 0,3W (ТО92)

КТ350А

Транзистор КТ350А кремнієвий епітаксійно-планарний структури p-n-p універсальний.

Призначені для застосування в підсилювачах високої частоти та пристроях, що перемикають.

Випускається у пластмасовому корпусі з гнучкими висновками.

Тип транзистора маркується колірним кодом, на корпусі наноситься умовне маркування двома точками сірого та рожевого кольору.

Маса транзистора трохи більше 0,3 р.

Тип корпусу: КТ-26 (ТО-92).

Кліматичне виконання: «УХЛ2.1» згідно з ГОСТ 15150-69.

Категорія якості: ВТК.

Технічні умови:

- приймання «1» ЩТ3.365.058-5ТУ.

Мінімальний термін зберігання не менше 10 років з дня виготовлення.

Імпортний аналог: 2SA673, 2N5226, 2N978, 2N5221, MPS6562, MPS6563.

Основні технічні характеристики транзистора КТ350А:

• Структура транзистора: p-n-p;

• Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 300 мВт;

• fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 100 МГц;

• Uкбо max - Максимальна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 20 В;

• Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 5 В;

• Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 600 мА;

• Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 1 мкА;

• h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 20...200;

• Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 70 пФ;

• Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 2 Ом

Технические характеристики транзисторов КТ350А:

Тип

транзистора
Структура
Предельные значения параметров при Тп=25°С
Значения параметров при Тп=25°С
TП

max
Т

max


IК

max
IК. И.

max
UКЭR max

(UКЭ0 max)
UКБ0 max
UЭБ0 max
РК max

(РК. И. max)
h21Э,

(h21э)
UКЭ

нас.
IКБО
f гp.

(f h21)
КШ
СК
СЭ


мА
мА
В
В
В
мВт

В
мкА
МГц
дБ
пФ
пФ
°С
°С


КТ350А
p-n-p
60
600
15
20
5
300
20...200
1
1
100
-
70
100
150
-40…+85

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:

• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.

• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.

• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.

• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.

• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.

• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.

• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.

• РК. И. max - максимально допустимая импульсная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.

• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.

• h21Э - коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.

• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.

• IКБО - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.

• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.

• f h21 - предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора.

• КШ - коэффициент шума транзистора.

• СК - емкость коллекторного перехода.

• СЭ - емкость коллекторного перехода.

• ТП max - максимально допустимая температура перехода.

• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.