КТ342Б транзистор PNP (50мА 25В) (h21э =200…500) Au (ТО18)

КТ342Б транзистор PNP (50мА 25В) (h21э =200…500) Au (ТО18)

Изображения служат только для ознакомления

См. спецификации продукта

КТ342А

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.

Предназначены для применения в импульсных устройствах.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Тип приборов КТ342А, КТ343Б, КТ342В, КТ342Г указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 0,5 г.

Тип корпуса: КТ-1-7.

Технические условия: ЖК3.365.227 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора КТ342Б:

• Структура транзистора: n-p-n;

• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 250 мВт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 300 МГц;

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,05 мкА;

• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 200... 500;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 8 пФ;

• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 10 Ом;

• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 200 пс

Технические характеристики транзисторов КТ342А, КТ342Б, КТ342В, КТ342Г:

Тип

транзистора
Структура
Предельные значения параметров при Тп=25°С
Значения параметров при Тп=25°С
TП

max
Т

max


IК

max
IК. И.

max
UКЭR max
UКБ0 max
UЭБ0 max
РК max
h21э
UКЭ

нас.
IКБО
f гp.
КШ
СК
СЭ


мА
мА
В
В
В
мВт

В
мкА
МГц
дБ
пФ
пФ
°С
°С


КТ342А
n-p-n
50
300
30
-
5
250
100…250
0,1
0,05
250
-
8
-
150
-60…+125


КТ342Б
n-p-n
50
300
25
-
5
250
200…500
0,1
0,05
300
-
8
-
150
-60…+125


КТ342В
n-p-n
50
300
10
-
5
250
400...1000
0,1
0,05
300
-
8
-
150
-60…+125


КТ342Г
n-p-n
50
300
60
-
5
250
50...125
0,2
0,05
300
-
8
-
150
-60…+125

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:

• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.

• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.

• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.

• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.

• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.

• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.

• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.

• РК. И. max - максимально допустимая импульсная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.

• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.

• h21Э - коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.

• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.

• IКБО - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.

• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.

• f h21 - предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора.

• КШ - коэффициент шума транзистора.

• СК - емкость коллекторного перехода.

• СЭ - емкость коллекторного перехода.

• ТП max - максимально допустимая температура перехода.

• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.

КТ242А (кремниевый транзистор, p-n-p)