КТ316Б Au транзистор NPN 800МГц (0,05А. 10В) (h21э: 40…120) (ТО18) (військове приймання по якості)

Артикул КТ316Б Au
63,75 ₴
Характеристики
Артикул КТ316Б Au
Материал корпуса Металлостекло
Тип монтажа Ручной монтаж
Тип транзистора Биполярный
Тип биполярного транзистора N-P-N
Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер 10 В
Максимально допустимый ток коллектора 0.05 А
Исполнение Дискретное
Страна происхождения СССР

КТ316Б транзистор NPN 800МГц (0,05А. 10В) (h21э: 40-120) Au (ТО18) (військове приймання по якості)

КТ316Б

Транзисторы КТ316Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.

Предназначены для применения в усилителях высокой частоты (КТ316Г, КТ316Д) и переключающих устройствах (КТ316А, КТ316Б, КТ316В).

Используются для работы в составе радиоэлектронной аппаратуры общего назначения.

Выпускаются в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами.

Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.

Масса транзистора не более 0,5 г.

Тип корпуса: КТ-1-9 (TO-18).

Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».

Категория качества: «ОТК».

Технические условия:

- приемка «1» - СБ0.336.030ТУ.

Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления.

Импортный аналог: MM8006, MM8007.

Основные технические характеристики транзистора КТ316Б:

• Структура транзистора: n-p-n

• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 800 МГц;

• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 10 В (3кОм);

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;

• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 40...120;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 3 пФ;

• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 40 Ом

Технические характеристики транзисторов КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316Г, КТ316Д:




Тип

транзистора
Структура
Предельные значения параметров при Тп=25°С
Значения параметров при Тп=25°С

max
Т

max


max
IК. И.

max
UКЭR max
UКБ0 max
UЭБ0 max
РК max
h21э
UКЭ

нас.
IКБО
f гp.
КШ
СК
СЭ


мА
мА
В
В
В
мВт

В
мкА
МГц
дБ
пФ
пФ
°С
°С


КТ316А
n-p-n
50
50
10
10
4
150
20...60
0,4
0,5
600
-
3
2,5
150
-60…+125


КТ316Б
n-p-n
50
50
10
10
4
150
40…120
0,4
0,5
800
-
3
2,5
150
-60…+125


КТ316В
n-p-n
50
50
10
10
4
150
40…120
0,4
0,5
800
-
3
2,5
150
-60…+125


КТ316Г
n-p-n
50
50
10
10
4
150
20...100
0,4
0,5
600
-
3
2,5
150
-60…+125


КТ316Д
n-p-n
50
50
10
10
4
150
60...300
0,4
0,5
800
-
3
2,5
150
-60…+125


Условные обозначения электрических параметров транзисторов:

• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.

• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.

• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.

• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.

• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.

• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.

• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.

• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.

• h21Э - коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.

• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.

• IКБО - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.

• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.

• КШ - коэффициент шума транзистора.

• СК - емкость коллекторного перехода.

• СЭ - емкость коллекторного перехода.

• ТП max - максимально допустимая температура перехода.

• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.

+38 (067) 979 41 03Viber WhatsApp Telegram

Ми в соціальних мережах:

Час роботи:

ПН-СБ 10:00-20:00, НД 10:00-18:00

Наша адреса

Україна, Київ, вул. Ушинського, 4. Ринок "Радіолюбитель". Торгові місця: 594-598.

ФОП Сохань © -

Платіть за допомогою карти

Працює на Shop-Express

Обране