КТ209І транзистор PNP (500 мА 45В) (h21е 40-120) 0,2 W (ТО92)

КТ209И

Транзистори КТ209В кремнієві епітаксиально-планарні структури p-n-p посилені зі нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 1 кГц.

Призначені для застосування в посилених і імпульсних мікромодулях і блоках герметизованої апаратури загального призначення.

Випускаються в пластмасовому корпусі з гнучкими виведеннями.

Транзистори мають два варіанти маркування:

Варіант 1 — на корпус наноситься буква: КТ209А — А, КТ209Б — Б, КТ209Б1 — Б1, КТ209В — В, КТ209В1 — В1, КТ209В2 — В2, КТ209Г — Г, КТ209Д — Д, КТ209Е — Е КТ209Ж — Ж, КТ209І — К, КТ209Л — КТ9 - К.

Варіант 2 — на бічну поверхню корпусу наноситься мітка сірого кольору та на торці позначка: КТ209А — темно-червона, КТ209Б — жовта, КТ209В — темно-зелена, КТ209Г — блакитна, КТ209Д — синя, КТ209Е — біла, КТ209Ж — коричнева, КТ209I — срібляста, КТ209К — жовтогаряча, КТ209Л — світло-тютюрна, КТ209М — сіра.

Маса транзизора не більш ніж 0,3 г.

Тип корпусу: КТ-26 (ТО-92).

Кліматичне виготовлення: «УХЛ2.1» за ГОСТом 15150-69.

Категорія якості: «ОТК».

Технічні умови:

- приймання «1» АА0.336.065ТУ/02.

Мінімальний термін зберігання не менш ніж 12 років від дня виготовлення.

Імпортний аналог: MPS404, 2SA642.

Технічні характеристики транзисторів КТ209:

Тип транзизора
Структура
Граничні значення параметрів за Тп = 25 °C
Значення параметрів за Тп = 25 °C


IК. макс.
IК. и. макс.
UКБО макс.
UКЕР макс.
UЕБО макс.
РК. макс.
h21Э
UКБ
IЭ
UКЭ нас.
IКБО
fгp.


мА
мА
В
В
В
мВт

В
мА
В
мкА
МГц


КТ209А
p-n-p
300
500
15
15
10
200
20...60
1
30
0,4
-
5


КТ209Б
p-n-p
300
500
15
15
10
200
40…120
1
30
0,4
-
5


КТ209В
p-n-p
300
500
15
15
10
200
80...240
1
30
0,4
-
5


КТ209Г
p-n-p
300
500
30
30
10
200
20...60
1
30
0,4
-
5


КТ209Д
p-n-p
300
500
30
30
10
200
40…120
1
30
0,4
-
5


КТ209Е
p-n-p
300
500
30
30
10
200
80...240
1
30
0,4
-
5


КТ209Ж
p-n-p
300
500
45
45
20
200
20...60
1
30
0,4
-
5


КТ209И
p-n-p
300
500
45
45
20
200
40…120
1
30
0,4
-
5


КТ209К
p-n-p
300
500
45
45
20
200
80...160
1
30
0,4
-
5


КТ209Л
p-n-p
300
500
60
60
20
200
20...60
1
30
0,4
-
5


КТ209М
p-n-p
300
500
60
60
20
200
40…120
1
30
0,4
-
5

Усоловні позначення електричних параметрів транзисторів:

• Iк. макс — максимально допустимий постійний струм колектора транзизора.

• Iк. і макс. — максимально допустимий імпульсний струм колектора транзистора.

• Uкбо макс — максимальна напруга колектор-база за заданого зворотного струму колектора та розімкнутого ланцюга імітера.

• UкеR. макс — максимальна напруга між колектором і емітером у разі заданого (звичайного) опору в ланцюзі база-іміттер транзистора.

• Uкеомакс — максимальна напруга між колектором і емітером транзисторів під час розімкнутого ланцюга бази та заданого струму імітера.

• Uэбомакс — максимально допустима постійна напруга емітер-база під час струму колектора, рівною нулю.

• РК. макс — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори.

• РК. і макс. — максимально допустима імпульсна потужність, що розсіюється на колекторі транзизора.

• h21Э — статичний коефіцієнт передавання струму біполярного транзистора.

• h21Э — коефіцієнт передавання струму біполярного транзизора в режимі малого сигналу в схемі із загальним евітером.

• Uкб - напруга колектор-база транзизора.

• Uке — напруга колектор-емітер транзизора.

• Ie - струм імітера транзизора.

• Iк — постійний струм колектора транзизора.

• Uке нас. — напруга насичення між колектором і емітером транзизора.

• Iкбо - зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід у разі заданої зворотної напруги колектор-база та розімкнутого виведення імітера.

• IкэR — зворотний струм колектор-емітер у разі заданого опору в ланцюгу база-емітер. Струм у ланцюзі колектор-емітер у разі заданої зворотної напруги колектор-емітер і заданого опору в ланцюзі база-емітер.

• fгр— гранічна частота коефіцієнта передавання струму.

• fh21 — передня частота коефіцієнта передавання струму біполярного транзистори.