Головна › Магазин › Транзистори біполярні та польові › Транзистори ту срср › Польові транзистори радянської доби ›

КП501А, (ZVN2120) транзистор N-канальний з ізольованим затвором (TO-92)

Name: КП501А, (ZVN2120) транзистор N-канальний з ізольованим затвором (TO-92)
Brand: Интеграл
SKU: КП501А
Price: 12.75 UAH
Availability: OutOfStock

Артикул КП501А

Виробник Интеграл

КП501А, Транзистор N-канальний з ізольованим закривом (TO-92)

КП501А

Кремнієві польові n-канальні транзистори середньої потужності з ізольованим закривом і збагаченням каналу.

Виготовлені за епітаксиально-планарною технологією. Прилади обладнані вбудованим зворотним захисним діодом.

Транзистори КП501А призначені для роботи як елемент комутації в телефонних апаратах, апаратурі засобів зв'язку та іншої електронної апаратури.

Корпус: TO-92 (КТ-26).

КП501А

Транзистори КП501А, КП501Б, КП501В кремнієві епітаксиально-планарні польові з ізольованим закривом, збагаченням n-канала.

Призначені для використання як елемент комутації електричних ланцюгів в апаратурі засобів зв'язку, телефонних апаратах та іншої радіоелектрононої апаратури, що виготовляється для народного господарства.

Тип корпусу:TO-92 (КТ-26).

Технічні умови: АДБК.432140.485 ТУ.

Прототип: ZVN2120.

Характеристики польових МОП транзисторів із каналом n-типу

КП501А, КП501Б, КП501В:

Тип

польового транзизора
Р МАКС
f МАКС
Граничні значення параметрів за Т = 25 °C
Значення параметрів за Т = 25 °C
Т ОКР

UСИ МАКС
UЗС МАКС
UЗІ МАКС
IС МАКС
UЗІ ПОР
RCИ від
IЗ УТ
S
IЗ ОСТ
C11И
C12И
C22И
КШ
КУР

мВт
МГц
В
В
В
мА
В
Ом
нА
мА/В
мкА
пФ
пФ
пФ
дБ
дБ
°С

КП501А
500
-
240
-
±20
180
1…3
<10
<20
-
<10
-
-
-
-
-
-40…+85

КП501Б
500
-
200
-
±20
180
1…3
<10
<20
-
<10
-
-
-
-
-
-40…+85

КП501В
500
-
200
-
±20
180
1…3
<20
<20
-
<10
-
-
-
-
-
-40…+85

Усоловні позначення електричних параметрів польових транзисторів:

• Р МАКС — максимально допустима постійна розсіювана потужність польового транзистори.

• f МАКС — максимально допустима робоча частота польового транзистори.

• UСИ МАКС - максимально допустима напруга стік-висток.

• UЗС МАКС - максимально допустима напруга затвор-сток.

• UЗІ МАКС - максимально допустима напруга затвор-висток.

• IС МАКС — максимально допустимий струм стока польового транзистора.

• UЗІ ВІДС - напруга відсічення польового транзизора. Напруга між закривом і джерелам транзистори з p-n переходом або з ізольованим закривом, що працює в режимі обідніння, за якого струм стока досягає заданого низького значення.

• RСИ від — опір стік-виток у відкритому стані польового транзистори. • g22И — активний складник вихідної провідності польового транзистори в схемі із загальним споконвом.

• IЗ УТ - ток утечки затвора. Струм затвора за заданої напруги між закривом та іншими виведеннями, замкнутими між собою.

• S - крутина характеристики польового транзизора. Відношення зміни струму до зміни напруги на затворі за короткого замикання за змінним струмом на виході транзистори в схемі із загальним джерелом.

• IС НАЧ — початковий струм стоку. Струм стоку за напруги між закривом і джерелам, рівною нулю й за напруги на стоці, що перевищує напругу насичення.

• C11И - вхідна ємність польового транзизора. Ємність між закривом і джерелам у разі короткого замикання змінним струмом на виході із загальним споконвом.

• C12И — прохідна ємність польового транзизора. Ємність між затвором і стоком за короткого замикання за змінним струмом на вході в схемі із загальним джерелом.

• C22И — вихідна ємність польового транзизора. Ємність між стоком і джерелам у разі короткого замикання змінним струмом на вході в схемі із загальним джерелом.

• КШ - коефіцієнт шуму транзизора.

• КУР - коефіцієнт посилення за потужністю транзизора.

• Т ОКР - температура довкілля.