КП306В (UЗ1І отс = 1,3 ... 6) транзистор польовий з двома ізольов. затворами, каналом n-типу 150 mW

КП306В (UЗ1И отс =1,3…6) N-FET (150 mW 20В) Au транзистор кремнієві дифузійно-планарні польові з двома ізольованими затворами, каналом n-типу та нормаційною ділянкою перехідної характеристики.

КП306А

Транзистори КП306А, КП306Б, КП306В кремнієві дифузійно-планарні польові з двома ізольованими закривами, каналом n-типу та нормаційною ділянкою перехідної характеристики.

Призначені для застосування в перетворювальних і посилених каскадах високої та низької частот із високим вхідним опором.

Випускаються в металостекуваному корпусі з гнучкими виведеннями.

Тип приладу вказується на корпусі.

Маса транзизора не більш ніж 0,5 г.

Тип корпусу: КТ-1-12.

Технічні умови: ТФ0.336.002 ТУ.

Характеристики польових транзисторів із двома ізольованими затворами та каналом n-типу

КП306А, КП306Б, КП306В:

Тип

польового транзизора
Р макс
Граничні значення параметрів за Т = 25 °C
Значення параметрів за Т = 25 °C
Токр


UСИ

макс
UЗ1С

макс
UЗ2С

макс
UЗ1И

макс
UЗ2И

макс
UЗ1 З2

макс
IЗ макс
UЗ1И відс
IЗ1 ут
S1
IЗ нач
C11И1
C12И1
Кш
Кур


мВт
В
В
В
В
В
мА
мА
В
нА
мА/В
мА
пФ
пФ
дБ
дБ
°С


КП306А
150
20
20
20
20
20
25
20
0,8...4
<5
4…8
-
<5
<0,7
<6
-
-60...+125


КП306Б
150
20
20
20
20
20
25
20
0,2…4
<5
4…8
-
<5
<0,7
<6
-
-60...+125


КП306В
150
20
20
20
20
20
25
20
1,3…6
<5
4…8
-
<5
<0,7
<6
-
-60...+125

Усоловні позначення електричних параметрів польових транзисторів:

• Р МАКС — максимально допустима постійна розсіювана потужність польового транзистори.

• UСИ МАКС - максимально допустима напруга стік-висток.

• UЗ1С МАКС — максимально допустима напруга — перший затвор-сток.

• UЗ2С МАКС - максимально допустима напруга другий закрив-сток.

• UЗ1І МАКС — максимально допустима напруга — перший затвор-висток.

• UЗ2И МАКС - максимально допустима напруга другий затвор-висток.

• UЗ1 З2 МАКС - максимально допустима напруга між затворами.

• IС МАКС — максимально допустимий струм стока польового транзистора.

• UЗ1И ОТС - напруга відсічення польового транзизора. Напруга між закривом і джерелам транзистори з p-n переходом або з ізольованим закривом, що працює в режимі обідніння, за якого струм стока досягає заданого низького значення.

• IЗ1 УТ - струм витоку першого затвора. Струм затвора за заданої напруги між закривом та іншими виведеннями, замкнутими між собою.

• S1 - крутина характеристики польового транзизора. Відношення зміни струму до зміни напруги на затворі за короткого замикання за змінним струмом на виході транзистори в схемі із загальним джерелом.

• IС НАЧ — початковий струм стоку. Струм стоку за напруги між закривом і джерелам, рівною нулю й за напруги на стоці, що перевищує напругу насичення.

• C11И1 - вхідна ємність польового транзизора. Ємність між закривом і джерелам у разі короткого замикання змінним струмом на виході із загальним споконвом.

• C12И2 — прохідна ємність польового транзизора. Ємність між затвором і стоком за короткого замикання за змінним струмом на вході в схемі із загальним джерелом.

• КШ - коефіцієнт шуму польового транзизора.

• КУР - коефіцієнт посилення за потужністю польового транзизора.

• Т ОКР - температура довкілля.