КП306А (UЗ1И отс =0,8…4) транзистор полевые с двумя изолир. затворами, каналом n-типа (150 mW 20В) Au

КП306А N-FET (150 mW 20В) Au транзистор кремниевые диффузионно-планарные полевые с двумя изолированными затворами, каналом n-типа и нормированным участком переходной характеристики.

КП306А

Транзисторы КП306А, КП306Б, КП306В кремниевые диффузионно-планарные полевые с двумя изолированными затворами, каналом n-типа и нормированным участком переходной характеристики.

Предназначены для применения в преобразовательных и усилительных каскадах высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Тип прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 0,5 г.

Тип корпуса: КТ-1-12.

Технические условия: ТФ0.336.002 ТУ.

Характеристики полевых транзисторов с двумя изолированными затворами и каналом n-типа

КП306А, КП306Б, КП306В:

Тип

полевого транзистора
Р макс
Предельные значения параметров при Т=25°С
Значения параметров при Т=25°С
Токр


UСИ

макс
UЗ1С

макс
UЗ2С

макс
UЗ1И

макс
UЗ2И

макс
UЗ1 З2

макс
IС макс
UЗ1И отс
IЗ1 ут
S1
IС нач
C11И1
C12И1
Кш
Кур


мВт
В
В
В
В
В
мА
мА
В
нА
мА/В
мА
пФ
пФ
дБ
дБ
°С


КП306А
150
20
20
20
20
20
25
20
0,8…4
<5
4…8
-
<5
<0,7
<6
-
-60…+125


КП306Б
150
20
20
20
20
20
25
20
0,2…4
<5
4…8
-
<5
<0,7
<6
-
-60…+125


КП306В
150
20
20
20
20
20
25
20
1,3…6
<5
4…8
-
<5
<0,7
<6
-
-60…+125

Условные обозначения электрических параметров полевых транзисторов:

• Р МАКС - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого транзистора.

• UСИ МАКС - максимально допустимое напряжение сток-исток.

• UЗ1С МАКС - максимально допустимое напряжение первый затвор-сток.

• UЗ2С МАКС - максимально допустимое напряжение второй затвор-сток.

• UЗ1И МАКС - максимально допустимое напряжение первый затвор-исток.

• UЗ2И МАКС - максимально допустимое напряжение второй затвор-исток.

• UЗ1 З2 МАКС - максимально допустимое напряжение между затворами.

• IС МАКС - максимально допустимый ток стока полевого транзистора.

• UЗ1И ОТС - напряжение отсечки полевого транзистора. Напряжение между затвором и истоком транзистора с p-n переходом или с изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения.

• IЗ1 УТ - ток утечки первого затвора. Ток затвора при заданном напряжении между затвором и остальными выводами, замкнутыми между собой.

• S1 - крутизна характеристики полевого транзистора. Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком.

• IС НАЧ - начальный ток стока. Ток стока при напряжении между затвором и истоком, равном нулю, и при напряжении на стоке, равном или превышающем напряжение насыщения.

• C11И1 - входная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на выходе с общим истоком.

• C12И2 - проходная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и стоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.

• КШ - коэффициент шума полевого транзистора.

• КУР - коэффициент усиления по мощности полевого транзистора.

• Т ОКР - температура окружающей среды.