КП303Д транзистор польовий N-FET (200 mW 30В) Au (ТО72)

КП303Д транзистор польовий N-FET (200 mW 30В) Au (ТО72)

Найменування

КП303Д Транзистор


Функціональний тип
польовий


Типорозмір корпусу
КТ-1-12


Структура
p-n-перехід і n-канал


Торгова марка
No trademark


ТУ
Ц20.336.601 ТУ


Тип приймання
"1"


Матеріал корпусу
металостекскований


Тип виведення
гнучкий


Покриття виводів або контактів
Au


Робоче положення
будь-яка


Фактичне маркування
3ДВ2


Стан паковання
самопаковання


Кратність відвантаження
1


Цвет изделия
чорний


Габаритні розміри L*W*H
6х18


Висота корпусу
5 mm


Маса виробу, г.
0,34


Транслітерація
Transistor KP303D


Напруга стік-висток
25 V


Напруга затвора
30 V


Ток стока
не більш ніж 9 mA


Максимальна потужність розсіювання
200 mW


Примітка
Дата випуску не вказана

Танзистор КП303Д кремнієвий епітаксиально-планарний польовий із закривом на основі p-n переходу та каналом n-типу. Застосовуйтеся у вхідних каскадах підсилювачів високої частоти.

Характеристики польових транзисторів з p-n переходом і каналом p-типу

КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Г, КП303Д, КП303Е КП303Ж, КП303І:

Тип

польового транзизора
Р МАКС
f МАКС
Граничні значення параметрів за Т = 25 °C
Значення параметрів за Т = 25 °C
Т ОКР


UСИ МАКС
UЗС МАКС
UЗІ МАКС
IС МАКС
UЗІ ВІДС
g22И
IЗ УТ
S
IС НАЧ
C11И
C12И
КШ


мВт
МГц
В
В
В
мА
В
мКСм
нА
мА/В
мА
пФ
пФ
дБ
°С


КП303А
200
-
25
30
30
20
0,5...3
-
<1
1…4
0,5...2
<6
<2
-
-40…+85


КП303Б
200
-
25
30
30
20
0,5...3
-
<1
1…4
0,5...2
<6
<2
-
-40…+85


КП303В
200
-
25
30
30
20
1…4
-
<1
2…5
1,5…5
<6
<2
-
-40…+85


КП303Г
200
-
25
30
30
20
<8
-
<0,1
3…7
3…12
<6
<2
-
-40…+85


КП303Д
200
-
25
30
30
20
<8
-
<1
>2,6
3…9
<6
<2
<4
-40…+85


КП303Е
200
-
25
30
30
20
<8
-
<1
>4
5…20
<6
<2
<4
-40…+85


КП303Ж
200
-
25
30
30
20
0,3…3
-
<5
1…4
0,3…3
<6
<2
-
-40…+85


КП303І
200
-
25
30
30
20
0,5...2
-
<5
2…6
1,5…5
<6
<2
-
-40…+85

Усоловні позначення електричних параметрів польових транзисторів:

• Р МАКС — максимально допустима постійна розсіювана потужність польового транзистори.

• f МАКС — максимально допустима робоча частота польового транзистори.

• UСИ МАКС - максимально допустима напруга стік-висток.

• UЗС МАКС - максимально допустима напруга затвор-сток.

• UЗІ МАКС - максимально допустима напруга затвор-висток.

• IС МАКС — максимально допустимий струм стока польового транзистора.

• UЗІ ВІДС - напруга відсічення польового транзизора. Напруга між закривом і джерелам транзистори з p-n переходом або з ізольованим закривом, що працює в режимі обідніння, за якого струм стока досягає заданого низького значення.

• g22И — активний складник вихідної провідності польового транзистори в схемі із загальним споконвом.

• IЗ УТ - ток утечки затвора. Струм затвора за заданої напруги між закривом та іншими виведеннями, замкнутими між собою.

• S - крутина характеристики польового транзизора. Відношення зміни струму до зміни напруги на затворі за короткого замикання за змінним струмом на виході транзистори в схемі із загальним джерелом.

• IС НАЧ — початковий струм стоку. Струм стоку за напруги між закривом і джерелам, рівною нулю й за напруги на стоці, що перевищує напругу насичення.

• C11И - вхідна ємність польового транзизора. Ємність між закривом і джерелам у разі короткого замикання змінним струмом на виході із загальним споконвом.

• C12И — прохідна ємність польового транзизора. Ємність між затвором і стоком за короткого замикання за змінним струмом на вході в схемі із загальним джерелом.

• КШ - коефіцієнт шуму транзизора.

• Т ОКР - температура довкілля.