Пошук
К174ун4a (TAA300) УНЧ (Підсилювач Низькою Частоти): 1 x 1 Вт (4Ω), 0.7А, 8 ... 10В
Артикул
к174ун4А
Виробник
STM
14,88 ₴
Характеристики
Артикул
к174ун4А
Материал корпуса
Пластик
Техническое описание
скачать PDF в спецификации
Виробник
STM
К174ун4a (TAA300) УНЧ (Усилитель Низкой Частоты): 1 x 1Вт(4Ω), 0.7А, 8…10В
Тип: УНЧ (Усилитель Низкой Частоты)
Описание: 1 x 1Вт(4Ω), 0.7А, 8…10В
Аналог: TAA300
Микросхемы представляют собой усилители мощности звуковой частоты с выходной
мощностью 1 Вт (К174УН4А) и 0,7 Вт (К174УН4Б) на нагрузке 4 Ом. Содержат 32
интегральных элемента.
Назначение выводов:
1 - коррекция Icc выходов транзисторов;
2 - обратная связь;
3 - теплоотвод;
4 - вход;
5 - фильтр;
6 - вольтодобавка;
7 - напряжение питания (+Uп);
8 - выход;
9 - напряжение питания (-Uп).
Типовая схема включения ИМС к174УН4
Электрические параметры:
Номинальное напряжение питания . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9 В ±10%
Ток потребления при Uп=9 В . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .≤ 10 мА
Коэффициент усиления при Uп=9 В, fвх=1 кГц, Uвх=0,1 В . . . . .4...40
Нестабильность коэффициента усиления напряжения
при Uп=9 В, fвх=1 кГц, T=+25...55 °C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .≤ 20%
Коэффициент гармоник при Uп=9 В, fвх=1 кГц:
К174УН4А при Uвых=2 В . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 2%
К174УН4Б при Uвых=1,7 В . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 2%
Входное сопротивление при Uп=9 В, fвх=1 кГц . . . . . . . . . . . . ≥ 10 кОм
Выходная мощность при Rн=40 мА:
К174УН4А . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1 Вт
К174УН4Б . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0,7 Вт
Диапазон рабочих частот . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .30...20*10³ Гц
Коэффициент полезного действия:
К174УН4А при Pвых=1 Вт . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .50%
К174УН4Б при Pвых=0,7 Вт . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35% Тепловое сопротивление:
кристалл-корпус . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 °C/Вт
кристалл-среда . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 135 °C/Вт
Температура окружающей среды . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -25...+55 °C
Предельно допустимые режимы эксплуатации:
Напряжение питания . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .8,1..9,9 В
в предельном режиме . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5,4..10 В
Выходное напряжение:
К174УН4А . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 2 В
в предельном режиме . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2,2 В
К174УН4Б . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 1,7 В
в предельном режиме . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1,87 В
Амплитуда тока в нагрузке:
К174УН4А . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 840 мА
в предельном режиме . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 900 мА
К174УН4Б . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 710 мА
в предельном режиме . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 750 мА
Температура кристалла . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +125 °C
Рекомендации по применению:
При проведении монтажных операций допускается не более двух перепаек
выводов микросхем.
Температура пайки 235 ±5 °C, расстояние от корпуса до места пайки не менее
1,5 мм, продолжительность пайки не более 6 с.
При эксплуатации микросхемы должна быть предусмотрена защита от
случайного увеличения напряжения питания.
Эксплуатация микросхем допускается только с применением теплоотвода.
Для устранения высокочастотной генерации необходимо уменьшать
индуктивность проводов, соединяющих вывод 7 с источником питания,
использовать только короткие провода, экранировать провод, соединяющий
вход микросхемы с генератором сигналов.
Регулировка коэффициента усиления напряжения на низких частотах может
быть проведена изменением емкостей конденсаторов C2 и С4. Ослабление
усиления на верхней граничной частоте 20 кГц - не более 3 дБ. Допускается
регулировка коэффициента усиления напряжения с помощью изменения
сопротивления резистора обратной связи R2 и емкости конденсатора C2.
Допустимое значение статического потенциала 200 В.
+38 (067) 979 41 03Viber WhatsApp Telegram
Ми в соціальних мережах:
.svg){kind=small}
.svg){kind=small}
Час роботи:
ПН-СБ 10:00-20:00, НД 10:00-18:00
Працює на Shop-Express™
