IRF2204PBF транзистор MOSFET N-CH 40V 210A 3.6mOhm 130nC, TO-220 330W

Артикул IRF2204PBF kh
Виробник Infineon
163,63 ₴
Характеристики
Артикул IRF2204PBF kh
Материал корпуса Пластик
Тип монтажа Ручной монтаж
Тип транзистора Полевой
Корпус транзистора: ТО220
Максимальная мощность рассеивания 330 Вт
Максимально допустимый ток стока 210 А
Максимально допустимое напряжение сток-исток 40 В
Виробник Infineon

IRF2204PBF транзистор MOSFET N-CH 40V 210A 3.6mOhm 130nC, TO-220 330W

Зображення слугують тільки для ознайомлення

Див. специфікації продукту




Manufacturer:




Product Category:
MOSFETs



RoHS:




Technology:
Si



Mounting Style:
Through Hole



Package/Case:
TO-220-3



Transistor Polarity:
N-Channel



Number of Channels:
1 Channel



Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:
40 V



Id - Continuous Drain Current:
210 A



Rds On - Drain-Source Resistance:
3.6 mOhms



Vgs - Gate-Source Voltage:
- 20 V, + 20 V



Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:
2 V



Qg - Gate Charge:
130 nC



Minimum Operating Temperature:
- 55 C



Maximum Operating Temperature:
+ 175 C



Pd - Power Dissipation:
330 W



Channel Mode:
Enhancement



Packaging:
Tube



Brand:
Infineon Technologies



Configuration:
Single



Height:
15.65 mm



Length:
10 mm



Product Type:
MOSFETs




50



Subcategory:
Transistors



Transistor Type:
1 N-Channel



Width:
4.4 mm



Unit Weight:
2 g

+38 (067) 979 41 03Viber WhatsApp Telegram

Ми в соціальних мережах:

Час роботи:

ПН-СБ 10:00-20:00, НД 10:00-18:00

Наша адреса

Україна, Київ, вул. Ушинського, 4. Ринок "Радіолюбитель". Торгові місця: 594-598.

ФОП Сохань © -

Платіть за допомогою карти

Працює на Shop-Express

Обране