ГТ346А германієвий транзистор PNP 200 МГц (0,1mА 15В) (h21э: 10-150) 3W Ni (ТО18)

ГТ346А германиевый транзистор PNP 200 МГц (0,1mА 15В) (h21э: 10-150) 3W Ni (ТО18)

Изображения служат только для ознакомления

См. спецификации продукта

ГТ346А

Транзисторы ГТ346А германиевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частотах 800 и 200 МГц.

Предназначены для применения в селекторах телевизионных каналов метрового и дециметрового диапазонов длин волн с автоматической регулировкой усиления.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Тип прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 1 г.

Технические условия: ПЖ0.336.021 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора ГТ346А:

• Структура: p-n-p

• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 50 мВт;

• Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 700 МГц;

• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В;

• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 0,3 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 мА;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА при 20 В;

• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 10...150 при 5В, 3мА;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1,3 пФ при 5В;

• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 6 дБ на частоте 800 МГц;

• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 3 пс

Технические характеристики транзисторов ГТ346А, ГТ346Б, ГТ346В:

Тип

транзистора
Структура
Предельные значения параметров при Тп=25°С
Значения параметров при Тп=25°С
TП

max
Т

max


IК

max
IК. И.

max
UКЭR max
UКБ0 max
UЭБ0 max
РК max
h21э
UКЭ

нас.
IКБО
f гp.
КШ
СК
СЭ


мА
мА
В
В
В
мВт

В
мкА
МГц
дБ
пФ
пФ
°С
°С


ГТ346А
p-n-p
10
-
15
20
0,3
50
10...150
-
10
700
6
1,3
-
85
-45…+55


ГТ346Б
p-n-p
10
-
15
20
0,3
50
10...150
-
10
550
8
1,3
-
85
-45…+55


ГТ346В
p-n-p
10
-
15
20
0,3
50
15...150
-
10
550
7
1,3
-
85
-45…+55

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:

• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.

• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.

• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.

• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.

• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.

• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.

• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.

• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.

• h21Э - коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.

• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.

• IКБО - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.

• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.

• КШ - коэффициент шума транзистора.

• СК - емкость коллекторного перехода.

• СЭ - емкость коллекторного перехода.

• ТП max - максимально допустимая температура перехода.

• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.