ГТ322В германієвий транзистор PNP 80 МГц (0,1mА 25В) (h21э: 20...200) Ni (ТО18)

ГТ322В германієвий транзистор PNP 80 МГц (0,1mА 25В) (h21э: 20...200) Ni (ТО18)

Изображения служат только для ознакомления

См. спецификации продукта

ГТ322В

Транзисторы ГТ322В германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума.

Предназначены для применения в усилителях промежуточной и высокой частот.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Корпус транзистора электрически соединен с дополнительным (четвертым) выводом и может быть использован в качестве экрана.

Выводы эмиттера, базы и коллектора электрически изолированы от корпуса транзистора.

Тип корпуса: КТ-1-12.

Масса транзистора не более 0,6 г.

Климатическое исполнение: «УХЛ».

Категория качества: «ОТК».

Гарантийный срок сохраняемости - не менее 10 лет с момента изготовления.

Импортный аналог: 2SA256, 2SA339, AF275, AF426, AF427, AF428, AF429, GFY50.

Основные технические характеристики транзистора ГТ322Б:

• Структура: p-n-p

• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 50 мВт;

• Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 80 МГц;

Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 25 В;

• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 0,25 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 мА;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 4 мкА при 25 В;

• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 50...120 при 5В, 1мА;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1,8 пФ при 5В;

• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 4 дБ на частоте 1,6 МГц;

• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 100 пс

Технические характеристики транзисторов ГТ322А, ГТ322Б, ГТ322В:

Тип

транзистора
Структура
Предельные значения параметров при Тп=25°С
Значения параметров при Тп=25°С
Т


IК

max
IК. И.

max
UКЭR max

(UКЭ0 max)
UКБ0 max
UЭБ0 max
РК max
h21э
UКЭ
IК
UКЭ

нас.
IКБО
fгp.
КШ
СК


мА
мА
В
В
В
мВт

В
мА
В
мкА
МГц
дБ
пФ
°С


ГТ322А
p-n-p
10
-
10
25
-
50
30…100
5
1
-
4
80
4
1,8
-40…+55


ГТ322Б
p-n-p
10
-
6
25
-
50
50...120
5
1
-
4
80
4
1,8
-40…+55


ГТ322В
p-n-p
10
-
10
25
-
50
20...200
5
1
-
4
50
4
2,5
-40…+55

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:

• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.

• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.

• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.

• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.

• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.

• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.

• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.

• РК. И. max - максимально допустимая импульсная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.

• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.

• h21Э - коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.

• UКБ - постоянное напряжение коллектор-база транзистора.

• UКЭ - постоянное напряжение коллектор-эмиттер транзистора.

• IЭ - постоянный ток эмиттера транзистора.

• IК - постоянный ток коллектора транзистора.

• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.

• IКБО - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.

• fгр - граничная частота коэффициента передачи тока.

• fh21 - предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора.

• КШ - коэффициент шума транзистора.

• СК - емкость коллекторного перехода.