159НТ1Б (AU) (5-я приемка) матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей)

159НТ1Б (AU) (5-я приемка)

матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей)

Микросхемы представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).

Корпус типа 301.8-2, масса не более 1,3 гр.

159НТ1Б

Микросхемы 159НТ1Б представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).

Корпус типа 3101.8-9.01, масса не более 1,3 г.

Предельно допустимые режимы эксплуатации 159НТ1Б:

- Напряжение коллектор-база .......... 20 В

- Напряжение эмиттер-база .......... 4 В

- Напряжение между транзисторами .......... 20 В

- Ток коллектора постоянный .......... 10 мА

- Ток коллектора импульсный (tи = 30мкс) .......... 40 мА

- Рассеиваемая мощность (при Т= -60 +70° С) .......... 50 мВт

Минимальный срок сохраняемости микросхем при их хранении:

- в отапливаемом хранилище или в хранилище с регулируемыми влажностью и температурой или местах хранения микросхем, вмонтированных в защищенную аппаратуру, или находящихся в защищенном комплекте ЗИП - 25 лет;

- в неотапливаемом хранилище – 16,5 лет;

- под навесом и на открытой площадке, вмонтированными в аппаратуру ( в составе незащищенного объекта), или в комплекте ЗИП – 12,5 лет.

Срок сохраняемости исчисляется с даты изготовления, указанной на микросхеме.