МП39Б Транзистори германієві сплавні p-n-p підсилювальні низькочастотні. Ni

МП39Б

Транзисторы германиевые сплавные p-n-p усилительные низкочастотные с ненормированным МП39 и нормированным на частоте 1 кГц МП39Б коэффициентом шума.

Предназначены для усиления сигналов низкой частоты.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.

Масса транзистора не более 2 г.

Тип корпуса: КТЮ-3-6.

Технические условия: аА0.336.635ТУ.

Основные технические характеристики транзистора МП39Б:

• Структура транзистора: p-n-p

• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;

• fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 0,5 МГц;

• Uкэr проб - Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В;

• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 10 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА;

• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 150 мА;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 15 мкА;

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 20...60;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 50 пФ;

• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 12 дБ на частоте 1 кГц

Технические характеристики транзисторов МП39, МП39Б:

Тип транзистора
Структура
Предельные значения параметров при Тп=25°С
Значения параметров при Тп=25°С


IК. макс.
IК. и. макс.
UКЭR макс

(UКЭО макс.)
UЭБО макс.
РК. макс.

(РК.и. макс)
h21Э

(h21э)
UКБ

(UКЭ)
IЭ

(IК)
UКЭ нас.
IКБО
fгp.

(fh21)


мА
мА
В
В
мВт

В
мА
В
мкА
МГц


МП39
p-n-p
30
150
15
10
150
12
5
1
-
15
0,5


МП39Б
p-n-p
30
150
15
10
150
20...60
5
1
-
15
0,5

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:

• Iк. макс - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.

• Iк. и. макс - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.

• UкэR. макс - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном (конечном) сопротивлении в цепи база- эмиттер транзистора.

• Uкэо. макс - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера.

• Uэбо. макс - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.

• Рк. макс - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.

• Рк. и. макс - максимально допустимая импульсная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.

• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.

• h21Э - коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.

• Uкб - напряжение коллектор-база транзистора.

• UкэR. макс - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном (конечном) сопротивлении в цепи база- эмиттер транзистора.

• Iэ - ток эмиттера транзистора.

• Iк - постоянный ток коллектора транзистора.

• Uкэ. нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.

• Iкбо - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.

• fгр- граничная частота коэффициента передачи тока.

• fh21 - предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора.