МП37А германієві сплавні n-p-n підсилювальні низькочастотні з ненормованим коефіцієнтом шуму .. Ni

МП37А

Транзисторы МП37А германиевые сплавные n-p-n усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума.

Предназначены для усиления сигналов низкой частоты.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.

Масса транзистора не более 2 г.

Тип корпуса: КТЮ-3-6.

Технические условия: аА0.336.651 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора МП37Б:

• Структура транзистора: n-p-n

• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;

• fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 1 МГц;

• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА;

• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 150 мА;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 30 мкА;

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 25...50

Технические характеристики транзисторов МП37, МП37А, МП37Б:

Тип транзистора
Структура
Предельные значения параметров при Тп=25°С
Значения параметров при Тп=25°С


IК. макс.
IК. и. макс.
UКБО макс.
UКЭR макс.
UЭБО макс.
РК. и. макс.
h21Э
UКБ

(UКЭ)
IЭ

(IК)
UКЭ нас.
IКБО

(IКЭR)
fh21


мА
мА
В
В
В
мВт

В
мА
В
мкА
МГц


МП37
n-p-n
20
150
15
15
-
150
15...30
5
1
-
30
1


МП37А
n-p-n
20
150
30
30
-
150
15...30
5
1
-
30
1


МП37Б
n-p-n
20
150
30
30
-
150
25...50
5
1
-
30
1

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:

• Iк. макс - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.

• Iк. и. макс - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.

• Uкбо макс - максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера.

• UкэR. макс - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном (конечном) сопротивлении в цепи база- эмиттер транзистора.

• Uкэомакс - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера.

• Uэбомакс - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.

• Рк. макс - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.

• Рк. и. макс - максимально допустимая импульсная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.

• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.

• h21Э - коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.

• Uкб - напряжение коллектор-база транзистора.

• Uкэ - напряжение коллектор-эмиттер транзистора.

• Iэ - ток эмиттера транзистора.

• Iк - постоянный ток коллектора транзистора.

• Uкэ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.

• Iкбо - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.

• IкэR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер. Ток в цепи коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер.

• fгр- граничная частота коэффициента передачи тока.

• fh21 - предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора.