КТ971А транзистор NPN (17А 50В) 200W (КТЮ-32-2) кремнієві епітаксійно-планарні генераторні.

КТ971А транзистор NPN (17А 50В) 200W (КТЮ-32-2)

Изображения служат только для ознакомления

КТ971А

Транзисторы КТ971А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.

Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 50...200 МГц при напряжении питания 28 В.

Используются для работы в стационарной и бортовой аппаратуре средств радиосвязи общего назначения.

Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.

Внутри корпуса имеется согласующее LС-звено.

Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.

Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.

Масса транзистора не более 9,0 г.

Тип корпуса: КТ-56.

Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «3».

Категория качества: «ОТК».

Технические условия:

- приемка «1» - аА0.336.462ТУ.

Импортный аналог: BM100-28, NEMO214068-28.

Основные технические характеристики транзистора КТ971А:

• Структура транзистора: n-p-n;

• Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 200 Вт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 220 МГц;

• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 50 В (0,01кОм);

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 17 А;

• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 60 мА (50В);

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 330 пФ;

• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 3 дБ;

• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 150 Вт на частоте 175 МГц;

• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 40 пс

Технические характеристики транзисторов 2Т971А, КТ971А:

Тип

транзистора
Структура
Предельные значения параметров при Тп=25°С
Значения параметров при Тп=25°С
TП

max
Т

max


IК

max
IК. И.

max
UКЭR max
UКБ0 max
UЭБ0 max
UПИТ max
РК. СР. max
h21Э
UКЭ

нас.
IКЭR
IЭБО
f гp.
PВЫХ
КУР


А
А
В
В
В
В
Вт

В
мА
мА
МГц
Вт
дБ
°С
°С


2Т971А
n-p-n
17
-
50
-
4
28
200
-
-
<60
<30
>220
>150
>3
125
-60…+125


КТ971А
n-p-n
17
-
50
-
4
28
200
-
-
<60
<30
>220
>150
>3
85
-40…+85

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:

• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.

• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.

• UКЭR max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при сопротивлении в цепи база-эмиттер.

• UКЭ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при токе базы, равном нулю.

• UКБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю.

• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.

• UПИТ max - максимально допустимое напряжение питания.

• РК.СР. max - максимально допустимая средняя мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.

• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.

• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.

• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.

• IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база- эмиттер.

• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.

• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.

• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.

• PВЫХ - выходная мощность транзистора.

• КУР - коэффициент усиления по мощности транзистора.

• ТП max - максимально допустимая температура перехода.

• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.