КТ940А1 Транзистори КТ940А1 кремнієві епітаксійно-планарні біполярні структури n-p-n підсилювальні.
КТ940А1 - високовольтний транзистор малої потужності структури NPN. Аналог широковідомого транзистора КТ940А у корпусі TO-92. При цьому максимальна потужність, що розсіюється, визначається даним типом корпусу, знижена до 0,5Вт.
Характеристики транзистора КТ940А1:
Параметр Значення Режим змін.
Uк-е.макс. 300В
Uк-б.макс. 300В
Iк.макс. 0,1А
Iк.імп.макс. 0,3А t=1мс
Pк.макс. 0,5Вт
Uе-б.обр.макс. 5В
Iб.макс. 50мА
Iк.обр. <0,05мкА Uке = 250В
Іе.обр. <0,05мкА Uеб = 3В
h21е> 25 Iе = 30мА, Uке = 10В
Uк-е.насич. <1В Iк = 30мА
fгр. >100МГц
Cк <4,2пФ Uке = 30В, f = 10МГц
Корпус TO-92
Призначені для використання в каскадах відеопідсилювачів телевізійних приймачів, підсилювачах постійного струму та інших схемах, блоках та вузлах радіоелектронної апаратури широкого застосування.
Випускаються у пластмасовому корпусі з жорсткими висновками.
Маркуються цифро-літерним кодом на корпусі транзистора.
Маса транзистора трохи більше 0,3 р. Т
ип корпусу: КТ-26 (ТО-92).
Вид кліматичного виконання: «УХЛ».
Категорія якості: ВТК.
Технічні умови: - Прийняття «1» аА0. 336.246ТУ/04.
Мінімальний термін зберігання не менше 12 років з дня виготовлення.
Розшифровка маркування біполярного транзистора: КТ940А1
К – літера, що позначає вихідний матеріал, з якого виготовлений транзистор та його категорію якості, де К – кремнієвий транзистор категорії якості «ОТК»;
Т – літера, що визначає клас або підгрупу напівпровідникових приладів, де
Т – біполярний транзистор;
9 - буква, що позначає функціональне призначення, де 9 - транзистор великої потужності з максимальною потужністю, що розсіюється, більше 1,5 Вт і граничною частотою коефіцієнта передачі струму або максимальною рекомендованою частотою більше 300 МГц; 40 - число, що вказує на порядковий номер транзистора розробки;
А - літера, що визначає класифікацію транзисторів за параметрами, виготовлених за єдиним технологічним процесом;
1 - цифра, що вказується при модернізації приладів, що призводить до зміни його конструкції або електричних параметрів.