КТ826Б транзистор кремниевый NPN (1А 700В) (h21э 5-300)15W

Артикул КТ826Б
30 ₴
Характеристики
Артикул КТ826Б
Материал корпуса Металлокерамика
Тип монтажа Ручной монтаж
Тип транзистора Биполярный
Тип биполярного транзистора N-P-N
Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер 700 В
Максимально допустимый ток коллектора 1 А
Исполнение Дискретное
Максимальная мощность рассеивания 15 Вт
Максимально допустимое напряжение коллектор-база 700 В

КТ826А транзистор NPN (1А 700В) 15W

КТ826Б

Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные.

Предназначены для применения в переключающих устройствах, в преобразователях постоянного напряжения, высоковольтных стабилизаторах.

Транзисторы КТ826А, КТ826Б, КТ826В выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.

Тип прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 20 г.

Тип корпуса: КТ-9 (ТО-3).

Технические условия: аА0.336.301 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора КТ826Б :

• Структура транзистора: n-p-n;

• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 15 Вт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 6 МГц;

• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 700 В (0,01кОм);

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1 А;

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 5... 300;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 25 пФ;

• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 5 Ом




Наимен.
тип
Uкбо(и),В
Uкэо(и), В
Iкmax(и), мА
Pкmax(т), Вт
h21э
Iкбо, мкА
fгр., МГц
Uкэн, В


КТ826А

n-p-n

700
700
1000 (1000)
(15)
10-120
2000
6
<2.5


КТ826Б
700
700
1000 (1000)
(15)
5-300
2000
6
<2.5


КТ826В
700
700
1000 (1000)
(15)
5-120
2000
6
<2.5


Корпус:




Uкбо
- Максимально допустимое напряжение коллектор-база


Uкбои
- Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база


Uкэо
- Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер


Uкэои
- Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер


Iкmax
- Максимально допустимый постоянный ток коллектора


Iкmax и
- Максимально допустимый импульсный ток коллектора


Pкmax
- Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода


Pкmax т
- Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом


h21э
- Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером


Iкбо
- Обратный ток коллектора


fгр
- граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером


Uкэн
- напряжение насыщения коллектор-эмиттер


Структура условного обозначения

КТ8ХА(1):

КТ ― транзистор кремниевый биполярный;

8 ― обозначение назначения транзистора (большой мощности

с граничной частотой от 3 до 30 МГц);

Х ― порядковый номер разработки (34; 48; 90);

А ― классификационная группа по параметрам;

1 ― конструктивное исполнение (тип корпуса КТ-43А-2).

Условия эксплуатации

Условия эксплуатации транзистора КТ834А в соответствии с требованиями аАО.336.471 ТУ-95, транзистора КТ848А ― аАО.336.539 ТУ-95, транзисторов КТ890А и КТ890А1 ― АДБК.432.148. 010 ТУ-94. Температура окружающей среды от минус 60 до 100°С (КТ834А) и до 125°С (КТ848А, КТ890А и КТ890А1). Температура корпуса транзисторов от минус 45 до 100°С (КТ834А) и до 125°С (КТ848А, КТ890А и КТ890А1). аАО.336.471 ТУ-95;аАО.336.539 ТУ-95;АДБК.432.148.010 ТУ-94

Корпус ТО-3

Производитель Россия


+38 (067) 979 41 03Viber WhatsApp Telegram

Мы в социальных сетях:

Время работы:

ПН-СБ 10:00-20:00, ВС 10:00-18:00

Наш адрес

Украина, Киев, ул. Ушинского, 4. Рынок "Радиолюбитель". Торговые места: 594-598.

ФОП Сохань © -

Платите с помощью карты

Работает на Shop-Express

Избранное