КТ814Г транзистор PNP (3А 100В) 10W (ТО126)

КТ814Г транзистор PNP (3А 100В) 10W (ТО126)

Наимен.
тип
Uкбо(и),В
Uкэо(и), В
Iкmax(и), мА
Pкmax(т), Вт
h21э
Iкбо, мкА
fгр., МГц
Uкэн, В


КТ814А

p-n-p

40
25
1500(3000)
1(10)
40-275
50
3
<0.6


КТ814Б
50
40
1500(3000)
1(10)
40-275
50
3
<0.6


КТ814В
70
60
1500(3000)
1(10)
40-275
50
3
<0.6


КТ814Г
100
80
1500(3000)
1(10)
30-275
50
3
<0.6

Корпус:

Uкбо
- Максимально допустимое напряжение коллектор-база


Uкбои
- Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база


Uкэо
- Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер


Uкэои
- Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер


Iкmax
- Максимально допустимый постоянный ток коллектора


Iкmax и
- Максимально допустимый импульсный ток коллектора


Pкmax
- Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода


Pкmax т
- Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом


h21э
- Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером


Iкбо
- Обратный ток коллектора


fгр
- граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером


Uкэн
- напряжение насыщения коллектор-эмиттер