КТ646Б, Транзистор NPN, високочастотний, середньої потужності, TO-126 (КТ-27)
Корпус:
КТ646Б
Транзистори КТ646Б кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n швидкодійні, високовольтні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої частоти, імпульсних і перемикальних пристроях.
Використовуються для роботи в електронній апаратурі загального призначення.
Випускаються в пластмасовому корпусі з жорсткими виведеннями.
Маркуються цифро-букванним кодом на корпусі транзистора.
Маса транзизора не більш ніж 1,0 г.
Тип корпусу: КТ-27-2 (TO-126).
Вид кліматичного виконання: «УХЛ2.1» за ГОСТом 15150-69.
Категорія якості: «ОТК».
Технічні умови:
— приймання «1» АА0.336.334ТУ.
Імпортний аналог: YTS2222A, 2SC1007, MMST3904.
Основні технічні характеристики транзизора КТ646Б:
• Структура транзизора: n-p-n;
• РК max — Постійна розсіювана потужність колектора: 1 Вт;
• fГ — Гранична частота коефіцієнта передавання струму транзизора для схеми із загальним емітером: не менш ніж 250 МГц;
• Uкбо max — Максимальна напруга колектор-база за заданого зворотного струму колектора та розімкнутого ланцюга імітера: 40 В;
• Uебо max — Максимальна напруга емітер-база за заданого зворотного струму імітера та розімкнутого кола колектора: 4 В;
• Iк max — Максимально допустимий постійний струм колектора: 1 А;
• Iкбо — зворотний струм колектора — струм через колекторний перехід за заданої зворотної напруги колектор-база та розімкнутого виведення еміттера: не більш ніж 10 мкА (40В);
• h21е — Статичний коефіцієнт передавання струму транзизора для схем із загальним імітером: 150... 200;
• Ск — Місткість колекторного переходу: не більш ніж 10 ПФ;
• Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більш ніж 1,2 Ом;
• tк — Постійна часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті: не більш ніж 120 пс
Технічні характеристики транзисторів КТ646А, КТ646Б, КТ646В:
Тип
транзизора
Структура
Граничні значення параметрів за Тп = 25 °C
Значення параметрів за Тп = 25 °C
TП
max
Т
max
IК
max
IК. И.
max
UКЭR max
UКБ0 max
UЭБ0 max
РК max
h21Э
UКЭ
нас.
IКБО
IЭБО
IКЭR
f гp.
СК
СЭ
А
А
В
В
В
Вт
В
мкА
мкА
мкА
МГц
пФ
пФ
°С
°С
КТ646А
n-p-n
1
1,2
50
60
4
1
40…200
<0,85
<10
<10
-
>250
<10
<80
150
-45…+85
КТ646Б
n-p-n
1
1,2
40
40
4
1
>150
<0,25
<10
<10
-
>250
<10
<80
150
-45…+85
КТ646В
n-p-n
1
1,2
40
40
4
1
150…340
<0,25
<0,05
<10
-
>250
<10
<80
150
-45…+85
Усоловні позначення електричних параметрів транзисторів:
• IК max — максимально допустимий постійний струм колектора транзизора.
• IК. И. max — максимально допустимий імпульсний струм колектора транзистора.
• UКЭR max — максимальна напруга між колектором і емітером за заданого струму колектора та опору в ланцюгу база-емітер.
• UКЭ0 max — максимальна напруга між колектором і емітером транзизора за заданого струму колектора та струму бази, рівним нулю.
• UКБ0 max — максимальна напруга колектор-база за заданого струму колектора та струму еміттера, що дорівнює нулю.
• UЭБ0 max — максимально допустима постійна напруга емітер-база під час струму колектора, рівною нулю.
• РК max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори.
• РК. Т. max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори з тепловідведенням.
• h21Э — статичний коефіцієнт передавання струму біполярного транзистора.
• UКЭ нас. — напруга насичення між колектором і емітером транзизора.
• IКБО- зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід у разі заданої зворотної напруги колектор-база та розімкнутого виведення імітера.
• IЭБО- зворотний струм еміттера. Струм через евіттерний перехід у разі заданої зворотної напруги емітер-база та розімкнутого виведення колектора.
• IКЭR — зворотний струм колектор-емітер за заданої зворотної напруги колектор-емітер і опору в ланцюгу база-іміттер.
• f гр — гранічна частота коефіцієнта передавання струму.
• СК - ємність колекторного переходу.
• СЭ - ємність колекторного переходу.
• ТП max - максимально допустима температура переходу.
• Т max — максимально допустима температура довкілля.