КТ605Бм транзистор NPN (0,1А 250В) 2,8W (ТО126)

КТ605Бм транзистор NPN (0,1А 250В) 2,8W (ТО126)

Наимен.
тип
Uкбо(и),В
Uкэо(и), В
Iкmax(и), мА
Pкmax(т), Вт
h21э
Iкбо, мкА
fгр., МГц
Кш, Дб




n-p-n








-


КТ605БМ
250
300
75(500)
0.85(2.8)
50-200
70
30
-

Корпус:

Uкбо
- Максимально допустимое напряжение коллектор-база


Uкбои
- Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база


Uкэо
- Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер


Uкэои
- Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер


Iкmax
- Максимально допустимый постоянный ток коллектора


Iкmax и
- Максимально допустимый импульсный ток коллектора


Pкmax
- Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода


Pкmax т
- Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом


h21э
- Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером


Iкбо
- Обратный ток коллектора


fгр
- граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером


Кш
- коэффициент шума биполярного транзистора

КТ602БМ

Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n.

Предназначены для генерирования и усиления сигналов.

Транзисторы:

- 2Т602А, 2Т602Б выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами,

- 2Т602АМ, 2Т602БМ, КТ602АМ, КТ602БМ в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.

Тип прибора указывается на корпусе.

Масса транзисторов 2Т602А, 2Т602Б, не более 5 г, 2Т602АМ, 2Т602БМ, КТ602АМ, КТ602БМ ― не более 1 г.

Основные технические характеристики транзистора КТ602БМ:

• Структура транзистора: n-p-n;

• Рк max ― Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,85 Вт;

• Рк и max ― Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 2,8 Вт;

• fгр ― Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 150 МГц;

• Uкбо max ― Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 120 В;

• Uэбо max ― Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;

• Iк max ― Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 75 мА;

• Iк и max ― Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 500 мА;

• Iкбо ― Обратный ток коллектора ― ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 70 мкА;

• h21э ― Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 50;

• Ск ― Емкость коллекторного перехода: не более 4 пФ;

• Rкэ нас ― Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 4 Ом;

• tк ― Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 300 пс