КТ604Бм транзистор NPN (0,2А 300В) (h21Э 30…120) 2,8W (ТО126)

Корпус:

КТ604БМ

Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n.

Предназначены для применения в операционных усилителях, видеоусилителях и генераторах разверток.

Транзисторы KT604AM, КТ604БМ выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.

Тип прибора указывается на корпусе.

Масса транзисторов не более 1 г.

Тип корпуса: КТ-27-2.

Технические условия: аА0.336.335 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора КТ604БМ:

• Структура транзистора: n-p-n;

• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,8 Вт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 40 МГц;

• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 300 В;

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 200 мА;

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 30... 120;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 7 пФ;

• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 400 Ом

Технические характеристики транзисторов КТ604АМ, КТ604БМ:

Тип

транзистора
Структура
Предельные значения параметров при Тп=25°С
Значения параметров при Тп=25°С
TП

max
Т

max


IК

max
IК. И.

max
UКЭR max

(UКЭ0 max)
UКБ0 max
UЭБ0 max
РК max

(РК. Т. max)
h21Э
UКЭ

нас.
IКБО
IЭБО
IКЭ
f гp.
СК
СЭ


мА
мА
В
В
В
Вт

В
мкА
мкА
мкА
МГц
пФ
пФ
°С
°С


КТ604АМ
n-p-n
200
-
250
300
5
0,8 (3)
10…40
<8
-
<50
<20
>40
<7
<50
150
-60…+100


КТ604БМ
n-p-n
200
-
250
300
5
0,8 (3)
30…120
<8
-
<50
<20
>40
<7
<50
150
-60…+100

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:

• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.

• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.

• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.

• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.

• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.

• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.

• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.

• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.

• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.

• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.

• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.

• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.

• IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер.

• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.

• СК - емкость коллекторного перехода.

• СЭ - емкость коллекторного перехода.

• ТП max - максимально допустимая температура перехода.

• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.