КТ326А транзистор PNP (50мА 20В) (h21э: 20-70) 0,25W Au (ТО18)

КТ326А транзистор PNP (50мА 20В) (h21э: 20-70) 0,25W Au (ТО18)

КТ326А

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.

Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах.

Транзисторы 2Т326А, 2Т326Б, КТ326А, КТ326Б выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Тип прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 0,5 г.

Тип корпуса: КТ-1-7.

Технические условия: аА0.336.196 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора КТ326А:

• Структура транзистора: p-n-p;

• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 200 мВт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 250 МГц;

• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В (100 кОм);

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;

• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 20... 70;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 5 пФ;

• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 30 Ом;

• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 450 пс

Технические характеристики транзисторов КТ326А, КТ326Б:

Тип

транзистора
Структура
Предельные значения параметров при Тп=25°С
Значения параметров при Тп=25°С
Т


IК

max
IК. И.

max
UКЭR max
UКБ0 max
UЭБ0 max
РК max
h21Э
UКБ
IЭ
UКЭ

нас.
IКБО
fгp.
КШ
СК


мА
мА
В
В
В
мВт

В
мА
В
мкА
МГц
дБ
пФ
°С


КТ326А
p-n-p
50
-
15
20
4
250
20...70
2
10
0,3
0,5
250
-
5
-60…+125


КТ326Б
p-n-p
50
-
15
20
4
250
45...160
2
10
0,3
0,5
400
-
5
-60…+125

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:

• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.

• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.

• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.

• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.

• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.

• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.

• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.

• РК. И. max - максимально допустимая импульсная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.

• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.

• h21Э - коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.

• UКБ - постоянное напряжение коллектор-база транзистора.

• UКЭ - постоянное напряжение коллектор-эмиттер транзистора.

• IЭ - постоянный ток эмиттера транзистора.

• IК - постоянный ток коллектора транзистора.

• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.

• IКБ0 - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.

• fгр - граничная частота коэффициента передачи тока.

• fh21 - предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора.

• КШ - коэффициент шума транзистора.

• СК - емкость коллекторного перехода.

• Т - максимально допустимая температура окружающей среды.