КТ321В транзистор NPN кремнієві епітаксійно-планарні імпульсні (Тип корпусу КТЮ-3-6.)

КТ321В

Транзистори КТ321В кремнієві, епітаксійно-планарні структури p-n-p імпульсні.

Призначені для застосування в імпульсних підсилювачах та пристроях, що перемикають.

Використовуються у електронній апаратурі загального призначення.

Випускаються у металостеклянному корпусі з гнучкими висновками.

Маркуються цифро-літерним кодом на корпусі транзистора.

Маса транзистора трохи більше 2,2 р.

Тип корпусу КТЮ-3-6.

Кліматичне виконання: "УХЛ", категорія розміщення "3.1".

Категорія якості: ВТК.

Технічні умови:

- приймання «1» - аА0.336.393ТУ.

Імпортний аналог: BSV64, 2N1259.

Основні технічні характеристики транзистора КТ321В:

• Структура транзистора: p-n-p

• Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 210 мВт;

• Рк і max - Максимально допустима імпульсна потужність колектора, що розсіюється: 20 Вт;

• fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 60 МГц;

• Uкбо max - Максимальна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 60 В;

• Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 4 В;

• Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 200 мА;

• Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,1 мА;

• h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 20...60;

• Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 80 пФ;

• Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 3,6 Ом

Технические характеристики транзисторов КТ321А, КТ321Б, КТ321В, КТ321Г, КТ321Д, КТ321Е:

Тип

транзистора
Структура
Предельные значения параметров при Тп=25°С
Значения параметров при Тп=25°С
TП

max
Т

max


IК

max
IК. И.

max
UКЭR max

(UКЭ0 max)
UКБ0 max
UЭБ0 max
РК max
h21Э
UКЭ

нас.
IКБО
IЭБО
f гp.
КШ
СК
СЭ


мА
А
В
В
В
мВт

В
мкА
мкА
МГц
дБ
пФ
пФ
°С
°С


КТ321А
p-n-p
200
2
50
60
4
210
20…60
2,5
100
100
>60
-
80
250
150
-60…+125


КТ321Б
p-n-p
200
2
50
60
4
210
40…120
2,5
100
100
>60
-
80
250
150
-60…+125


КТ321В
p-n-p
200
2
50
60
4
210
40…400
2,5
100
100
>60
-
80
250
150
-60…+125


КТ321Г
p-n-p
200
2
40
45
4
210
20…60
2,5
100
100
>60
-
80
250
150
-60…+125


КТ321Д
p-n-p
200
2
40
45
4
210
40…120
2,5
100
100
>60
-
80
250
150
-60…+125


КТ321Е
p-n-p
200
2
40
45
4
210
40…400
2,5
100
100
>60
-
80
250
150
-60…+125

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:

• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.

• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.

• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.

• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.

• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.

• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.

• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.

• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.

• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.

• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.

• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.

• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.

• КШ - коэффициент шума транзистора.

• СК - емкость коллекторного перехода.

• СЭ - емкость коллекторного перехода.

• ТП max - максимально допустимая температура перехода.

• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.