КТ313А Au транзистор PNP 200 МГц (0,7А 50В) (h21е: 30-120) 3 W (ТО18)

Зображення слугують тільки для ознайомлення

Див. специфікації продукту

КТ313А

Транзистори кремнієві, епітаксиально-планарні структури p-n-p універсальні.

Призначені для застосування в підсилювачах високої частоти та перемикальних пристроях.

Транзистори 2Т313А, 2Т313Б, КТ313А, КТ313Б випускаються в металосткляному корпусі з гнучкими виведеннями.

Тип приладу вказується на корпусі.

Маса транзизора в металосткленому корпусі не більш ніж 0,5 г.

Тип корпусу: КТ-1-7.

Технічні умови: АА0.336.131 ТУ.

Основні технічні характеристики транзистора КТ313А:

• Структура транзизора: p-n-p

• РК max — Постійна розсіювана потужність колектора: 300 мВт;

• fГ — Гранична частота коефіцієнта передавання струму транзизора для схеми із загальним імітером: не менш ніж 200 МГц;

• Uкбо max — Максимальна напруга колектор-база за заданого зворотного струму колектора та розімкнутого ланцюга імітера: 60 В;

• Uебо max — Максимальна напруга емітер-база за заданого зворотного струму імітера та розімкнутого кола колектора: 5 В;

• Iк max — Максимально допустимий постійний струм колектора: 350 мА;

• Iкбо — зворотний струм колектора — струм через колекторний перехід за заданої зворотної напруги колектор-базу та розімкнутого виведення емітера: не більш ніж 0,5 мкА;

• h21е — Статичний коефіцієнт передавання струму транзистори в режимі малого сигналу для схем із загальним імітером: 30... 120;

• Ск — Місткість колекторного переходу: не більш ніж 12 ПФ

• Rке нас — Опір насичення між колектором і емітером: не більш ніж 3,3 Ом

Технічні характеристики транзисторів КТ313А, КТ313Б:

Тип

транзизора
Структура
Граничні значення параметрів за Тп = 25 °C
Значення параметрів за Тп = 25 °C
TП

max
Т

max


IК

max
IК. И.

max
UКЭR max

(UКЭ0 max)
UКБ0 max
UЭБ0 max
РКmax

(РК. И.max)
h21Э,

(h21э)
UКЭ

нас.
IКБО
f гp.

(f h21)
КШ
СК
СЭ


мА
мА
В
В
В
мВт

В
мкА
МГц
дБ
пФ
пФ
°С
°С


КТ313А
p-n-p
350
700
50
60
5
300
30...120
0,5
0,5
200
-
12
35
125
-40…+85


КТ313Б
p-n-p
350
700
50
60
5
300
80...300
0,5
0,5
200
-
12
35
125
-40…+85

Усоловні позначення електричних параметрів транзисторів:

• IК max — максимально допустимий постійний струм колектора транзизора.

• IК. И. max — максимально допустимий імпульсний струм колектора транзистора.

• UКЭR max — максимальна напруга між колектором і емітером за заданого струму колектора та опору в ланцюгу база-емітер.

• UКЭ0 max — максимальна напруга між колектором і емітером транзизора за заданого струму колектора та струму бази, рівним нулю.

• UКБ0 max — максимальна напруга колектор-база за заданого струму колектора та струму еміттера, що дорівнює нулю.

• UЭБ0 max — максимально допустима постійна напруга емітер-база під час струму колектора, рівною нулю.

• РК max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори.

• РК. И. max — максимально допустима імпульсна потужність, що розсіюється на колекторі транзизора.

• h21Э — статичний коефіцієнт передавання струму біполярного транзистора.

• h21Э — коефіцієнт передавання струму біполярного транзизора в режимі малого сигналу в схемі із загальним евітером.

• UКЭ нас. — напруга насичення між колектором і емітером транзизора.

• IКБО - зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід у разі заданої зворотної напруги колектор-база та розімкнутого виведення імітера.

• f гр — гранічна частота коефіцієнта передавання струму.

• f h21 — передня частота коефіцієнта передавання струму біполярного транзистори.

• КШ - коефіцієнт шуму транзизора.

• СК - ємність колекторного переходу.

• СЭ - ємність колекторного переходу.

• ТП max - максимально допустима температура переходу.

• Т max — максимально допустима температура довкілля.