КТ3127А (кремниевый транзистор, p-n-p)
КТ3127А
Транзистор КТ3127А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц.
Предназначен для применения в усилителях высокой частоты.
Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,4 г.
Тип корпуса: КТ-1-12.
Технические условия: АДБК.432143.026 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора КТ3127А:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 100 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 600 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 25 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 25... 150;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1 пФ;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 5 дБ на частоте 1 ГГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 10 пс
Технические характеристики транзисторов КТ3127А:
Тип
транзистора
Структура
Предельные значения параметров при Тп=25°С
Значения параметров при Тп=25°С
TП
max
Т
max
IК
max
IК. И.
max
UКЭR max
UКБ0 max
UЭБ0 max
РК max
h21э
UКЭ
нас.
IКБО
f гp.
КШ
СК
СЭ
мА
мА
В
В
В
мВт
В
мкА
МГц
дБ
пФ
пФ
°С
°С
КТ3127А
p-n-p
20
-
20
20
3
100
10...150
-
1
600
5
1
1,5
150
-45…+85
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• h21Э - коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• КШ - коэффициент шума транзистора.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.