КТ3117Б транзистор NPN 200 МГц (0,8А 75В) (h21э: 100-300) 3W Au (ТО18)

Изображения служат только для ознакомления

См. спецификации продукта

КТ3117Б

Транзисторы КТ3117Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.

Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах.

Транзисторы КТ3117А, КТ3117Б выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Тип прибора указывается на корпусе и в этикетке.

Масса транзистора не более 0,4 г.

Тип корпуса: КТ-1-7.

Технические условия: аА0.336.262 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора КТ3117Б:

• Структура транзистора: n-p-n

• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 300 мВт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;

• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 400 мА;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА (60В);

h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 40...200;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 10 пФ;

• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,2 Ом

Технические характеристики транзисторов КТ3117А, КТ3117Б:

Тип

транзистора
Структура
Предельные значения параметров при Тп=25°С
Значения параметров при Тп=25°С
TП

max
Т

max


IК

max
IК. И.

max
UКЭR max

(UКЭ0 max)
UКБ0 max
UЭБ0 max
РК max

(РК. И. max)
h21Э,

(h21э)
UКЭ

нас.
IКБО
f гp.

(f h21)
КШ
СК
СЭ


мА
мА
В
В
В
мВт

В
мкА
МГц
дБ
пФ
пФ
°С
°С


КТ3117А
n-p-n
400
800
60
60
4
300
40...200
0,6
10
200
-
10
80
150
-60…+125


КТ3117Б
n-p-n
400
800
75
75
4
300
100...300
0,6
10
200
-
10
80
150
-60…+125

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:

• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.

• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.

• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.

• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.

• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.

• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.

• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.

• РК. И. max - максимально допустимая импульсная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.

• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.

• h21Э - коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.

• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.

• IКБО - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.

• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.

• f h21 - предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора.

• КШ - коэффициент шума транзистора.

• СК - емкость коллекторного перехода.

• СЭ - емкость коллекторного перехода.

• ТП max - максимально допустимая температура перехода.

• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.