Поиск
КТ3102Г Ni транзистор n-p-n (h21э:400-1000) 20В (ТО18)
Артикул
КТ3102Г Ni
23 ₴
Характеристики
Артикул
КТ3102Г Ni
Материал корпуса
Металлостекло
Тип монтажа
Ручной монтаж
Тип транзистора
Биполярный
Тип биполярного транзистора
N-P-N
Исполнение
Дискретное
Максимально допустимое напряжение коллектор-база
20 В
Страна происхождения
СССР
КТ3102Г
Транзисторы КТ3102Г кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в низкочастотных устройствах с малым уровнем шумов, переключающих, усилительных и генераторных устройствах средней и высокой частоты.
Транзисторы КТ3102А, КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Д, КТ3102Е выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Транзисторы маркируются на боковой поверхности корпуса.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзисторов не более 0,5 г.
Тип корпуса: КТ-1-7.
Технические условия: аА0.336.122 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора КТ3102Г:
• Структура транзистора: n-p-n
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 250 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 300 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 100 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,015 мкА (50В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 400...1000;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 6 пФ;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 10 дБ на частоте 1 кГц
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 100 пс
Характеристики транзисторов КТ3102А, КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Г, КТ3102Д, КТ3102Е, КТ3102Ж, КТ3102И, КТ3102К:
Тип
транзистора
Структура
Предельные значения параметров при Тп=25°С
Значения параметров при Тп=25°С
TП
max
Т
max
IК
max
IК. И.
max
UКЭ0 max
UКБ0 max
UЭБ0 max
РК max
h21Э
UКЭ
нас.
IКБО
f гp.
КШ
СК
СЭ
мА
мА
В
В
В
мВт
В
мкА
МГц
дБ
пФ
пФ
°С
°С
КТ3102А
n-p-n
100
200
50
50
5
250
100…250
-
0,05
300
10
6
-
125
-40…+85
КТ3102Б
n-p-n
100
200
50
50
5
250
200…500
-
0,05
300
10
6
-
125
-40…+85
КТ3102В
n-p-n
100
200
30
30
5
250
200…500
-
0,015
300
10
6
-
125
-40…+85
КТ3102Г
n-p-n
100
200
20
20
5
250
400…1000
-
0,015
300
10
6
-
125
-40…+85
КТ3102Д
n-p-n
100
200
30
30
5
250
200…500
-
0,015
300
4
6
-
125
-40…+85
КТ3102Е
n-p-n
100
200
20
20
5
250
400…1000
-
0,015
300
4
6
-
125
-40…+85
КТ3102Ж
n-p-n
100
200
50
50
5
250
100…250
-
0,05
300
-
6
-
125
-40…+85
КТ3102И
n-p-n
100
200
50
50
5
250
200…500
-
0,05
300
-
6
-
125
-40…+85
КТ3102К
n-p-n
100
200
30
30
5
250
200…500
-
0,015
300
-
6
-
125
-40…+85
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. И. max - максимально допустимая импульсная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• h21Э - коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• f h21 - предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора.
• КШ - коэффициент шума транзистора.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.
+38 (067) 979 41 03Viber WhatsApp Telegram
Мы в социальных сетях:
.svg){kind=small}
.svg){kind=small}
Время работы:
ПН-СБ 10:00-20:00, ВС 10:00-18:00
Работает на Shop-Express™
