КТ3102Ам транзистор NPN (200мА 50В) (h21э: 100-200) 0,2W (ТО92)
Наимен.
тип
Uкбо(и),В
Uкэо(и), В
Iкmax(и), мА
Pкmax(т), Вт
h21э
Iкбо, мкА
fгр., МГц
Кш, Дб
КТ3102АМ
n-p-n
50
50
100(200)
0.25
100-200
0.05
150
10
КТ3102БМ
50
50
100(200)
0.25
200-500
0.05
150
10
КТ3102ВМ
30
30
100(200)
0.25
200-500
0.015
150
10
КТ3102ГМ
20
20
100(200)
0.25
400-1000
0.015
150
10
КТ3102ДМ
30
30
100(200)
0.25
200-500
0.015
150
4
КТ3102ЕМ
20
20
100(200)
0.25
400-1000
0.015
150
4
КТ3102ЖМ
20
20
100(200)
0.25
100-250
0.05
150
-
КТ3102ИМ
20
20
100(200)
0.25
200-500
0.05
150
-
КТ3102КМ
20
20
100(200)
0.25
200-500
0.015
150
-
Корпус:
Uкбо
- Максимально допустимое напряжение коллектор-база
Uкбои
- Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база
Uкэо
- Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер
Uкэои
- Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер
Iкmax
- Максимально допустимый постоянный ток коллектора
Iкmax и
- Максимально допустимый импульсный ток коллектора
Pкmax
- Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода
Pкmax т
- Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом
h21э
- Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
Iкбо
- Обратный ток коллектора
fгр
- граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
Кш
- коэффициент шума биполярного транзистора
Наимен.
тип
Uкбо(и),В
Uкэо(и), В
Iкmax(и), мА
Pкmax(т), Вт
h21э
Iкбо, мкА
fгр., МГц
Кш, Дб
КТ3102А
n-p-n
50
50
100(200)
0.25
100-200
0.05
150
10
КТ3102Б
50
50
100(200)
0.25
200-500
0.05
150
10
КТ3102В
30
30
100(200)
0.25
200-500
0.015
150
10
КТ3102Г
20
20
100(200)
0.25
400-1000
0.015
150
10
КТ3102Д
30
30
100(200)
0.25
200-500
0.015
150
4
КТ3102Е
20
20
100(200)
0.25
400-1000
0.015
150
4
КТ3102Ж
20
20
100(200)
0.25
100-250
0.05
150
-
КТ3102И
20
20
100(200)
0.25
200-500
0.05
150
-
КТ3102К
20
20
100(200)
0.25
200-500
0.015
150
-
Корпус: