КТ117Б транзистор N-база (h21э:0.65-0.8) 30В Au (ТО18)

КТ117Б транзистор N-база (h21э:0.5-0.7) 30В Au (ТО18)

Наимен.
тип
Uкбо(и),В
Uкэо(и), В
Iкmax(и), мА
Pкmax(т), Вт
h21э
Iкбо, мкА
fгр., МГц
Кш, Дб


КТ117А

n-база

30
30
50(1000)
0.3
0.5-0.7
1
0.2
-



КТ117Б
30
30
50(1000)
0.3
0.65-0.9
1
0.2
-


КТ117В
30
30
50(1000)
0.3
0.5-0.7
1
0.2
-


КТ117Г
30
30
50(1000)
0.3
0.65-0.9
1
0.2
-

Корпус:

Uкбо
- Максимально допустимое напряжение коллектор-база


Uкбои
- Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база


Uкэо
- Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер


Uкэои
- Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер


Iкmax
- Максимально допустимый постоянный ток коллектора


Iкmax и
- Максимально допустимый импульсный ток коллектора


Pкmax
- Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода


Pкmax т
- Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом


h21э
- Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером


Iкбо
- Обратный ток коллектора


fгр
- граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером


Кш
- коэффициент шума биполярного транзистора