КП303И транзистор польовий N-FET (200 mW 30В) Au (ТО72)

КП303І транзистор польовий N-FET (200 mW 30В) Au (ТО72)

Найменування
КП303І ТО-72 Транзистор


Функціональний тип
польовий


Типорозмір корпусу вітчизняний
КТ-1-12


Структура
N-FET


Дата випуску
от 1989г


Торгова марка
АО Елекс, Олександрів


Країна походження
СРСР


ТУ
Ц20.336.601 ТУ


Тип приймання
"1"


Матеріал корпусу
металостекскований


Тип виведення
гнучкий


Покриття виводів або контактів
Au


Робоче положення
будь-яка


Фактичне маркування
3ИС6


Наявність паспорта — етикетки
паспорт


Тип паковання
картонна коробка


Доупаковка
картонна пластина


Стан паковання
заводська


Кратність відвантаження
1


Габаритні розміри L*W*H
5,8х19


Висота корпусу
5,3 mm


Довжина виводів
13,7 mm


Маса виробу, г.
0,34


Вміст золота в 1 шт., gr
0,00903


Англійська транскрипція
Transistor KP303I


Напруга стік-висток
25 V


Напруга затвора
30 V


Ток стока
20 mA


Максимальна потужність розсіювання
200 mW

Танзистор КП303І кремнієвий епітаксиально-планарний польовий із затвором на основі p-n переходу та каналом n-типу, напруга відсікання транзистора — напруга між закривом і джерелам: 0,5... 2 В. Призначені для застосування у вхідних каскадах підсилювачів високої частоти з високим вхідним опором.

Характеристики польових транзисторів з p-n переходом і каналом p-типу

КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Г, КП303Д, КП303Е КП303Ж, КП303І:

Тип

польового транзизора
Р МАКС
f МАКС
Граничні значення параметрів за Т = 25 °C
Значення параметрів за Т = 25 °C
Т ОКР


UСИ МАКС
UЗС МАКС
UЗІ МАКС
IС МАКС
UЗІ ВІДС
g22И
IЗ УТ
S
IС НАЧ
C11И
C12И
КШ


мВт
МГц
В
В
В
мА
В
мКСм
нА
мА/В
мА
пФ
пФ
дБ
°С


КП303А
200
-
25
30
30
20
0,5...3
-
<1
1…4
0,5...2
<6
<2
-
-40…+85


КП303Б
200
-
25
30
30
20
0,5...3
-
<1
1…4
0,5...2
<6
<2
-
-40…+85


КП303В
200
-
25
30
30
20
1…4
-
<1
2…5
1,5…5
<6
<2
-
-40…+85


КП303Г
200
-
25
30
30
20
<8
-
<0,1
3…7
3…12
<6
<2
-
-40…+85


КП303Д
200
-
25
30
30
20
<8
-
<1
>2,6
3…9
<6
<2
<4
-40…+85


КП303Е
200
-
25
30
30
20
<8
-
<1
>4
5…20
<6
<2
<4
-40…+85


КП303Ж
200
-
25
30
30
20
0,3…3
-
<5
1…4
0,3…3
<6
<2
-
-40…+85


КП303І
200
-
25
30
30
20
0,5...2
-
<5
2…6
1,5…5
<6
<2
-
-40…+85

Усоловні позначення електричних параметрів польових транзисторів:

• Р МАКС — максимально допустима постійна розсіювана потужність польового транзистори.

• f МАКС — максимально допустима робоча частота польового транзистори.

• UСИ МАКС - максимально допустима напруга стік-висток.

• UЗС МАКС - максимально допустима напруга затвор-сток.

• UЗІ МАКС - максимально допустима напруга затвор-висток.

• IС МАКС — максимально допустимий струм стока польового транзистора.

• UЗІ ВІДС - напруга відсічення польового транзизора. Напруга між закривом і джерелам транзистори з p-n переходом або з ізольованим закривом, що працює в режимі обідніння, за якого струм стока досягає заданого низького значення.

• g22И — активний складник вихідної провідності польового транзистори в схемі із загальним споконвом.

• IЗ УТ - ток утечки затвора. Струм затвора за заданої напруги між закривом та іншими виведеннями, замкнутими між собою.

• S - крутина характеристики польового транзизора. Відношення зміни струму до зміни напруги на затворі за короткого замикання за змінним струмом на виході транзистори в схемі із загальним джерелом.

• IС НАЧ — початковий струм стоку. Струм стоку за напруги між закривом і джерелам, рівною нулю й за напруги на стоці, що перевищує напругу насичення.

• C11И - вхідна ємність польового транзизора. Ємність між закривом і джерелам у разі короткого замикання змінним струмом на виході із загальним споконвом.

• C12И — прохідна ємність польового транзизора. Ємність між затвором і стоком за короткого замикання за змінним струмом на вході в схемі із загальним джерелом.

• КШ - коефіцієнт шуму транзизора.

• Т ОКР - температура довкілля.