КП303Г транзистор польовий N-FET (200 mW 25В) Ni (ТО72)

КП303Г транзистор полевой N-FET (200 mW 25В) Ni (ТО72)

КП303Г

Транзисторы КП303Г кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.

Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты КП303Д, КП303Е и низкой КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Ж, КП303И частот с высоким входным сопротивлением.

Транзисторы КП303Г в основном предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.

Тип корпуса: КТ-1-12.

Масса транзистора не более 0,5 г.

Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».

Категория качества: «ОТК».

Технические условия:

- приёмка «1» - Ц20.336.601ТУ.

Гарантийный срок сохраняемости - не менее 10 лет с момента изготовления.

Импортный аналог: KK4381, 2N548.

Основные технические характеристики транзистора КП303Г:

• Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом;

• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 200 мВт;

• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: не более 8 В;

• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 25 В;

• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В;

• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В;

• Iс - Ток стока (постоянный): 20 мА;

• Iс нач - Начальный ток стока: 3...12 мА;

• S - Крутизна характеристики: 3... 7 мА/В;

• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 6 пФ;

• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 2 пФ

Характеристики
Задать вопрос
Предприятие ВПК России

Характеристики полевых транзисторов c p-n переходом и каналом p-типа

КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Г, КП303Д, КП303Е КП303Ж, КП303И:

Тип

полевого транзистора
Р МАКС
f МАКС
Предельные значения параметров при Т=25°С
Значения параметров при Т=25°С
Т ОКР


UСИ МАКС
UЗС МАКС
UЗИ МАКС
IС МАКС
UЗИ ОТС
g22И
IЗ УТ
S
IС НАЧ
C11И
C12И
КШ


мВт
МГц
В
В
В
мА
В
мкСм
нА
мА/В
мА
пФ
пФ
дБ
°С


КП303А
200
-
25
30
30
20
0,5…3
-
<1
1…4
0,5…2
<6
<2
-
-40…+85


КП303Б
200
-
25
30
30
20
0,5…3
-
<1
1…4
0,5…2
<6
<2
-
-40…+85


КП303В
200
-
25
30
30
20
1…4
-
<1
2…5
1,5…5
<6
<2
-
-40…+85


КП303Г
200
-
25
30
30
20
<8
-
<0,1
3…7
3…12
<6
<2
-
-40…+85


КП303Д
200
-
25
30
30
20
<8
-
<1
>2,6
3…9
<6
<2
<4
-40…+85


КП303Е
200
-
25
30
30
20
<8
-
<1
>4
5…20
<6
<2
<4
-40…+85


КП303Ж
200
-
25
30
30
20
0,3…3
-
<5
1…4
0,3…3
<6
<2
-
-40…+85


КП303И
200
-
25
30
30
20
0,5…2
-
<5
2…6
1,5…5
<6
<2
-
-40…+85

Условные обозначения электрических параметров полевых транзисторов:

• Р МАКС - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого транзистора.

• f МАКС - максимально допустимая рабочая частота полевого транзистора.

• UСИ МАКС - максимально допустимое напряжение сток-исток.

• UЗС МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-сток.

• UЗИ МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-исток.

• IС МАКС - максимально допустимый ток стока полевого транзистора.

• UЗИ ОТС - напряжение отсечки полевого транзистора. Напряжение между затвором и истоком транзистора с p-n переходом или с изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения.

• g22И - активная составляющая выходной проводимости полевого транзистора в схеме с общим истоком.

• IЗ УТ - ток утечки затвора. Ток затвора при заданном напряжении между затвором и остальными выводами, замкнутыми между собой.

• S - крутизна характеристики полевого транзистора. Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком.

• IС НАЧ - начальный ток стока. Ток стока при напряжении между затвором и истоком, равном нулю, и при напряжении на стоке, равном или превышающем напряжение насыщения.

• C11И - входная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на выходе с общим истоком.

• C12И - проходная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и стоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.

• КШ - коэффициент шума транзистора.

• Т ОКР - температура окружающей среды.