КП303Е транзистор польовий N-FET (200 mW 25В) Ni (ТО72)

КП303Е транзистор польовий N-FET (200 mW 25В) Ni (ТО72)

КП303Е

Транзистори КП303Е кремнієві епітоксиально-планарні польові з затвором на основі p-n переходу та каналом n-типу.

Призначені для застосування у вхідних каскадах підсилювачів високої частоти КП303Д, КП303Е та низької КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Ж, КП303 частот із високим вхідним опором.

Транзистори КП303Г загалом призначені для застосування в зарядочутливих підсилювачах та інших пристроях жирової спектрометрії.

Випускаються в металостекуваному корпусі з гнучкими виведеннями.

Тип приладу вказується на корпусі.

Маса транзизора не більш ніж 0,5 г.

Тип корпусу: КТ-1-12.

Технічні умови: Ц20.336.601 ТУ.

Основні технічні характеристики транзизора КП303:

• Структура транзизора: з p-n-переходом і n-каналом;

• Рсі max — розсіювана потужність стик-виток: 200 мВт;

• Uзі відс — Напруга відсікання транзизора — напруга між закривом і джерелам: 0,5... 2 В;

• Uсі max — Максимальна напруга стік-висток: 25 В;

• Uзс max — Максимальна напруга затвор-сток: 30 В;

• Uзі max — Максимальна напруга затворів-висток: 30 В;

• Iс — Строк (постійний): 20 мА;

• Iс нач — Початковий струм стоку: 1,5...5 мА;

• S — Крутизна характеристики: 2... 6 мА/В;

• С11і — Вхідна ємність транзизора — місткість між закривом і джерелам: не більш ніж 6 ПФ;

• С12і — Місткість зворотного зв'язку у схемі із загальним джерелам у разі короткого замикання на вході змінним струмом: не більш ніж 2 пФ

Характеристики польових транзисторів з p-n переходом і каналом p-типу

КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Г, КП303Д, КП303Е КП303Ж, КП303І:

Тип

польового транзизора
Р МАКС
f МАКС
Граничні значення параметрів за Т = 25 °C
Значення параметрів за Т = 25 °C
Т ОКР


UСИ МАКС
UЗС МАКС
UЗІ МАКС
IС МАКС
UЗІ ВІДС
g22И
IЗ УТ
S
IС НАЧ
C11И
C12И
КШ


мВт
МГц
В
В
В
мА
В
мКСм
нА
мА/В
мА
пФ
пФ
дБ
°С


КП303А
200
-
25
30
30
20
0,5...3
-
<1
1…4
0,5...2
<6
<2
-
-40…+85


КП303Б
200
-
25
30
30
20
0,5...3
-
<1
1…4
0,5...2
<6
<2
-
-40…+85


КП303В
200
-
25
30
30
20
1…4
-
<1
2…5
1,5…5
<6
<2
-
-40…+85


КП303Г
200
-
25
30
30
20
<8
-
<0,1
3…7
3…12
<6
<2
-
-40…+85


КП303Д
200
-
25
30
30
20
<8
-
<1
>2,6
3…9
<6
<2
<4
-40…+85


КП303Е
200
-
25
30
30
20
<8
-
<1
>4
5…20
<6
<2
<4
-40…+85


КП303Ж
200
-
25
30
30
20
0,3…3
-
<5
1…4
0,3…3
<6
<2
-
-40…+85


КП303І
200
-
25
30
30
20
0,5...2
-
<5
2…6
1,5…5
<6
<2
-
-40…+85

Усоловні позначення електричних параметрів польових транзисторів:

• Р МАКС — максимально допустима постійна розсіювана потужність польового транзистори.

• f МАКС — максимально допустима робоча частота польового транзистори.

• UСИ МАКС - максимально допустима напруга стік-висток.

• UЗС МАКС - максимально допустима напруга затвор-сток.

• UЗІ МАКС - максимально допустима напруга затвор-висток.

• IС МАКС — максимально допустимий струм стока польового транзистора.

• UЗІ ВІДС - напруга відсічення польового транзизора. Напруга між закривом і джерелам транзистори з p-n переходом або з ізольованим закривом, що працює в режимі обідніння, за якого струм стока досягає заданого низького значення.

• g22И — активний складник вихідної провідності польового транзистори в схемі із загальним споконвом.

• IЗ УТ - ток утечки затвора. Струм затвора за заданої напруги між закривом та іншими виведеннями, замкнутими між собою.

• S - крутина характеристики польового транзизора. Відношення зміни струму до зміни напруги на затворі за короткого замикання за змінним струмом на виході транзистори в схемі із загальним джерелом.

• IС НАЧ — початковий струм стоку. Струм стоку за напруги між закривом і джерелам, рівним нулю, і за напруги на стоці, що перевищує напругу насичення.

• C11И - вхідна ємність польового транзизора. Ємність між закривом і джерелам у разі короткого замикання змінним струмом на виході із загальним споконвом.

• C12И — прохідна ємність польового транзизора. Ємність між затвором і стоком у разі короткого замикання змінним струмом на вході в схемі із загальним джерелом.

• КШ - коефіцієнт шуму транзизора.

• Т ОКР - температура довкілля.