IRF3805PBF транзистор MOSFET N-CH 55V 220A 3.3mOhm 190nC, TO-220 130W

Артикул IRF3805PBF kh
Производитель Infineon
193 ₴
Характеристики
Артикул IRF3805PBF kh
Материал корпуса Пластик
Тип монтажа Ручной монтаж
Тип транзистора Полевой
Корпус транзистора: ТО220
Максимальная мощность рассеивания 330 Вт
Максимально допустимый ток стока 175 А
Максимально допустимое напряжение сток-исток 55 В
Производитель Infineon

IRF3805PBF транзистор MOSFET N-CH 55V 220A 3.3mOhm 190nC, TO-220 130W

Зображення слугують тільки для ознайомлення

Див. специфікації продукту












Manufacturer:
Infineon



Product Category:
MOSFETs



RoHS:




Technology:
Si



Mounting Style:
Through Hole



Package/Case:
TO-220-3



Transistor Polarity:
N-Channel



Number of Channels:
1 Channel



Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:
55 V



Id - Continuous Drain Current:
220 A



Rds On - Drain-Source Resistance:
3.3 mOhms



Vgs - Gate-Source Voltage:
- 20 V, + 20 V



Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:
2 V



Qg - Gate Charge:
190 nC



Minimum Operating Temperature:
- 55 C



Maximum Operating Temperature:
+ 175 C



Pd - Power Dissipation:
130 W



Channel Mode:
Enhancement



Packaging:
Tube



Brand:
Infineon Technologies



Configuration:
Single



Height:
15.65 mm



Length:
10 mm



Product Type:
MOSFETs




1000



Subcategory:
Transistors



Transistor Type:
1 N-Channel



Width:
4.4 mm



Unit Weight:
2 g









+38 (067) 979 41 03Viber WhatsApp Telegram

Мы в социальных сетях:

Время работы:

ПН-СБ 10:00-20:00, ВС 10:00-18:00

Наш адрес

Украина, Киев, ул. Ушинского, 4. Рынок "Радиолюбитель". Торговые места: 594-598.

ФОП Сохань © -

Платите с помощью карты

Работает на Shop-Express

Избранное