IRF3315PBF транзистор MOSFET N-CH 150V, 21A, 70mOhm 63.3nC 94W

Артикул IRF3315PBF kh
94 ₴
Характеристики
Артикул IRF3315PBF kh
Материал корпуса Пластик
Тип монтажа Ручной монтаж
Тип транзистора Полевой
Корпус транзистора: ТО220
Максимальная мощность рассеивания 84 Вт
Максимально допустимый ток стока 84 А
MOSFET N-CH 100V 80A
Максимально допустимое напряжение затвор-исток 60 В

IRF3315PBF транзистор MOSFET N-CH 150V, 21A, 70mOhm 63.3nC 94W

Изображения служат только для ознакомления

См. спецификации продукта




Manufacturer:
Infineon



Product Category:
MOSFETs



Delivery Restrictions:

Mouser does not sell this product in your region.




RoHS:




Technology:
Si



Mounting Style:
Through Hole



Package/Case:
TO-220-3



Transistor Polarity:
N-Channel



Number of Channels:
1 Channel



Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:
150 V



Id - Continuous Drain Current:
21 A



Rds On - Drain-Source Resistance:
70 mOhms



Vgs - Gate-Source Voltage:
- 20 V, + 20 V



Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:
2 V



Qg - Gate Charge:
63.3 nC



Minimum Operating Temperature:
- 55 C



Maximum Operating Temperature:
+ 175 C



Pd - Power Dissipation:
94 W



Channel Mode:
Enhancement



Packaging:
Tube



Brand:
Infineon Technologies



Configuration:
Single



Height:
15.65 mm



Length:
10 mm



Product Type:
MOSFETs




50



Subcategory:
Transistors



Transistor Type:
1 N-Channel



Width:
4.4 mm



Unit Weight:
2 g

+38 (067) 979 41 03Viber WhatsApp Telegram

Мы в социальных сетях:

Время работы:

ПН-СБ 10:00-20:00, ВС 10:00-18:00

Наш адрес

Украина, Киев, ул. Ушинского, 4. Рынок "Радиолюбитель". Торговые места: 594-598.

ФОП Сохань © -

Платите с помощью карты

Работает на Shop-Express

Избранное