ГТ806Д транзистор NPN (15А 140В) 30W

ГТ806Д транзистор NPN (15А 140В) 30W

Найменування
ГТ806Д Транзистор


Функціональний тип
біполярний


Структура
n-p-n


Дата випуску
01.01.1988


Торгова марка
ЗАО Група-Кремній, Брянцск


Країна походження
СРСР


ТУ
3.365.021 ТУ


Тип приймання
"1"


Матеріал корпусу
метал зі скляними ізоляторами


Тип виведення
жорсткий


Кліматичне виготовлення
УХЛ2


Фактичне маркування
ГТ806Д


Тип паковання
картонна коробка


Стан паковання
заводська


Кратність відвантаження
1


Габаритні розміри L*W*H
29х29х25,6


Висота корпусу
12,2 mm


Довжина виводів
13,4 mm


Маса виробу, г.
22


Вміст золота в 1 шт., gr
0,0001168


Вміст срібла в 1 шт., gr
0,090055


Англійська транскрипція
GT806A


Макс. допустима напруга колектор-база
140 V


Макс. допустимий постійний струм колектора
15 A


Максимальна потужність розсіювання
30 W


Максимальний зворотний струм, Iобр
8 µA


Статичний коефіцієнт передавання струму
10-100

Технічні характеристики транзисторів ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д:

Тип

транзизора
Структура
Граничні значення параметрів за Тп = 25 °C
Значення параметрів за Тп = 25 °C
TП

max
Т

max


IК

max
IК. И.

max
UКЭ max
UКБ0 max
UЭБ0 max
РК max

(РК. Т. max)
h21Э
UКЭ

нас.
IКБО
IЭБО
IКЭ
f гp.
СК
СЭ


А
А
В
В
В
Вт

В
мА
мА
мА
МГц
пФ
пФ
°С
°С


ГТ806А
p-n-p
15
-
75
-
1,5
2 (30)
10..100
<0,6
-
<8
<15
>10
-
-
85
-55…+55


ГТ806Б
p-n-p
15
-
100
-
1,5
2 (30)
10..100
<0,6
-
<8
<15
>10
-
-
85
-55…+55


ГТ806В
p-n-p
15
-
120
-
1,5
2 (30)
10..100
<0,6
-
<8
<15
>10
-
-
85
-55…+55


ГТ806Г
p-n-p
15
-
50
-
1,5
2 (30)
10..100
<0,6
-
<8
<15
>10
-
-
85
-55…+55


ГТ806Д
p-n-p
15
-
140
-
1,5
2 (30)
10..100
<0,6
-
<8
<15
>10
-
-
85
-55…+55

Усоловні позначення електричних параметрів транзисторів:

• IК max — максимально допустимий постійний струм колектора транзизора.

• IК. И. max — максимально допустимий імпульсний струм колектора транзистора.

• UКЭR max — максимальна напруга між колектором і емітером за заданого струму колектора та опору в ланцюгу база-емітер.

• UКЭ0 max — максимальна напруга між колектором і емітером транзизора за заданого струму колектора та струму бази, рівним нулю.

• UКБ0 max — максимальна напруга колектор-база за заданого струму колектора та струму еміттера, що дорівнює нулю.

• UЭБ0 max — максимально допустима постійна напруга емітер-база під час струму колектора, рівною нулю.

• РК max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори.

• РК. Т. max — максимально допустима постійна потужність, що розсіюється на колекторі транзистори з тепловідведенням.

• h21Э — статичний коефіцієнт передавання струму біполярного транзистора.

• UКЭ нас. — напруга насичення між колектором і емітером транзизора.

• IКБО- зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід у разі заданої зворотної напруги колектор-база та розімкнутого виведення імітера.

• IЭБО- зворотний струм еміттера. Струм через евіттерний перехід у разі заданої зворотної напруги емітер-база та розімкнутого виведення колектора.

• IКЭR — зворотний струм колектор-емітер за заданої зворотної напруги колектор-емітер і опору в ланцюгу база-іміттер.

• f гр — гранічна частота коефіцієнта передавання струму.

• СК - ємність колекторного переходу.

• СЭ - ємність колекторного переходу.

• ТП max - максимально допустима температура переходу.

• Т max — максимально допустима температура довкілля.

Транзистор ГТ806Д біполярний, германієвий дифузійно-сплавної структури p-n-p перемикачний. Призначений для застосування в імпульсних пристроях, перетворювачах і стабілізаторах струму та напруги.